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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3226-GQ

SI3226-GQ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 16:03:59 查看 閱讀�24

SI3226-GQ 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)� TrenchFET Gen III 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))和柵極電荷(Qg�,能夠顯著提高效率并減少功率損��
  這款功率 MOSFET � SO-8 封裝形式提供,支持表面貼裝工�,非常適合高密度�(shè)�(jì)。其出色的電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:19A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  柵極電荷�27nC(典型值)
  輸入電容�1350pF(典型值)
  總電荷:45nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝�(lèi)型:SO-8

特�

SI3226-GQ 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),從而降低了�(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損��
  2. 使用 Vishay � TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,提升了整體性能�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  4. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了可靠��
  5. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了 PCB �(shè)�(jì)與裝配過(guò)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)��
  7. 工作溫度范圍寬,適應(yīng)各種�(huán)境條��

�(yīng)�

SI3226-GQ 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
  4. 各種工業(yè)�(shè)備中的功率管理模��
  5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組件�

替代型號(hào)

SI3226-DP, SI3226-E3

si3226-gq推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)