SI3226-GQ 時(shí)間：2025/5/7 16:03:59 閱讀：24

SI3226-GQ 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，主要用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和柵極電荷（Qg），能夠顯著提高效率并減少功率損耗。
　　這款功率 MOSFET 以 SO-8 封裝形式提供，支持表面貼裝工藝，非常適合高密度設(shè)計(jì)。其出色的電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大連續(xù)漏電流：19A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　柵極電荷：27nC（典型值）
　　輸入電容：1350pF（典型值）
　　總電荷：45nC（典型值）
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝類(lèi)型：SO-8

特性

SI3226-GQ 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和柵極電荷 (Qg)，從而降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
　　2. 使用 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造，提升了整體性能。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用。
　　4. 高雪崩擊穿能力，增強(qiáng)了可靠性。
　　5. 表面貼裝封裝，簡(jiǎn)化了 PCB 設(shè)計(jì)與裝配過(guò)程。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛。
　　7. 工作溫度范圍寬，適應(yīng)各種環(huán)境條件。

應(yīng)用

SI3226-GQ 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
　　4. 各種工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
　　5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換組件。