SI3226-GQ 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,主要用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的 TrenchFET Gen III 技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))和柵極電荷(Qg),能夠顯著提高效率并減少功率損耗。
這款功率 MOSFET 以 SO-8 封裝形式提供,支持表面貼裝工藝,非常適合高密度設(shè)計(jì)。其出色的電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的理想選擇。
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏電流:19A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷:27nC(典型值)
輸入電容:1350pF(典型值)
總電荷:45nC(典型值)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝類(lèi)型:SO-8
SI3226-GQ 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和柵極電荷 (Qg),從而降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。
2. 使用 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技術(shù)制造,提升了整體性能。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
4. 高雪崩擊穿能力,增強(qiáng)了可靠性。
5. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了 PCB 設(shè)計(jì)與裝配過(guò)程。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛。
7. 工作溫度范圍寬,適應(yīng)各種環(huán)境條件。
SI3226-GQ 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開(kāi)關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)控制。
4. 各種工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換組件。
SI3226-DP, SI3226-E3