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時(shí)間：2025/5/22 23:20:58
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SI32282-A-FMR 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 FMR（Fastest MOSFET Recovery）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263（DPAK），適合表面貼裝工藝，能夠有效提高電路效率并降低功耗。
該芯片的主要特點(diǎn)是具備極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，從而減少功率損耗，并且擁有較高的雪崩擊穿能力，能夠在異常條件下提供額外保護(hù)。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：15A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.7mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
柵極電荷：49nC（典型值）
輸入電容：1400pF
總功耗：70W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263 (DPAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷，使其非常適合高頻應(yīng)用。
3. 高溫穩(wěn)定性，能在 -55℃ 至 +175℃ 的寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
6. 高雪崩擊穿能力，可承受瞬時(shí)過壓情況下的能量沖擊，提高了系統(tǒng)的可靠性。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路中的關(guān)鍵組件。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)器件。
IRF3205, SI4479DY, FDP55N06L
