SI3407DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。其小尺寸封裝(TSOP6)使其非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
該器件的額定電壓� 20V,適合用于低壓系�(tǒng)中的開關(guān)和負載驅(qū)動場��
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電�(Vds)�20V
最大柵源電�(Vgs):�8V
持續(xù)漏極電流(Id)�24A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
總功�(Ptot)�1.6W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TSOP6
SI3407DV-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,支持高� 24A 的持�(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
4. 小型 TSOP6 封裝,節(jié)� PCB 空間�
5. 寬工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)惡劣�(huán)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)��
7. �(nèi)部保護功能較少,需外部電路配合實現(xiàn)全面保護�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機控制和驅(qū)動電路中的開�(guān)元件�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關(guān)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切��
5. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率管��
6. �(shù)�(jù)通信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管理模塊�
由于其低�(dǎo)通電阻和高電流承載能�,它特別適合需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場��
SI3406DS-T1-E3, SI3408DV-T1-E3