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SI3424CDV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 17:17:01 查看 閱讀:33

SI3424CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有低導通電阻、高效率和快速開關特性,適合于高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換、電機控制、同步整流以及電池保護等應用。
  該芯片通過優(yōu)化的封裝設計提供出色的散熱性能,并且支持表面貼裝技術(shù) (SMD),便于自動化生產(chǎn)和高效組裝。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:27A
  導通電阻:2.8mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:52nC(典型值)
  輸入電容:1960pF(典型值)
  開關速度:快速
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝類型:PowerPAK? 8x8

特性

SI3424CDV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提高整體效率。
  2. 快速開關能力,可實現(xiàn)高頻操作,從而減小無源元件尺寸并提高功率密度。
  3. 高電流承載能力,適用于大功率應用。
  4. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。
  5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保。
  6. 封裝緊湊,便于 PCB 布局設計和減少系統(tǒng)體積。
  7. 提供強大的 ESD 保護功能,增強器件可靠性。

應用

這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關或同步整流器。
  2. 工業(yè)設備中的電機驅(qū)動和控制電路。
  3. 筆記本電腦及服務器的多相 VRM (電壓調(diào)節(jié)模塊) 解決方案。
  4. 通信基站的電源管理單元。
  5. 各類電池管理系統(tǒng) (BMS),如電動汽車和儲能系統(tǒng)的充放電控制。
  6. LED 照明驅(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)與開關功能。

替代型號

SI3424DGU-T1-E3, IRF3710, FDP5500NL

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3424cdv-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量657現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥4.29000剪切帶(CT)3,000 : ¥1.21204卷帶(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)8A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)26 毫歐 @ 7.2A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)12.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)405 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.6W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝6-TSOP
  • 封裝/外殼SOT-23-6 細型,TSOT-23-6