時間：2025/4/28 17:17:01
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SI3424CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造，具有低導通電阻、高效率和快速開關特性，適合于高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換、電機控制、同步整流以及電池保護等應用。
該芯片通過優(yōu)化的封裝設計提供出色的散熱性能，并且支持表面貼裝技術(shù) (SMD)，便于自動化生產(chǎn)和高效組裝。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：27A
導通電阻：2.8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
柵極電荷：52nC（典型值）
輸入電容：1960pF（典型值）
開關速度：快速
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：PowerPAK? 8x8
SI3424CDV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，有助于降低傳導損耗并提高整體效率。
2. 快速開關能力，可實現(xiàn)高頻操作，從而減小無源元件尺寸并提高功率密度。
3. 高電流承載能力，適用于大功率應用。
4. 寬泛的工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標準，綠色環(huán)保。
6. 封裝緊湊，便于 PCB 布局設計和減少系統(tǒng)體積。
7. 提供強大的 ESD 保護功能，增強器件可靠性。
這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關或同步整流器。
2. 工業(yè)設備中的電機驅(qū)動和控制電路。
3. 筆記本電腦及服務器的多相 VRM (電壓調(diào)節(jié)模塊) 解決方案。
4. 通信基站的電源管理單元。
5. 各類電池管理系統(tǒng) (BMS)，如電動汽車和儲能系統(tǒng)的充放電控制。
6. LED 照明驅(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)與開關功能。
SI3424DGU-T1-E3, IRF3710, FDP5500NL
