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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 22:02:15 查看 閱讀�12

SI3442BDV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司旗下品牌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流以及電池保�(hù)等應(yīng)用。其封裝形式為熱增強(qiáng)� ThinPAK 3x3-8L,能夠提供出色的散熱性能�
  SI3442BDV-T1-E3 的設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化效率和減小系統(tǒng)尺寸,同�(shí)保持高可靠性和耐用�,是�(xiàn)代電子設(shè)備中高效功率管理的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�7.9A
  �(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):6mΩ
  柵極電荷�15nC
  輸入電容�1360pF
  總熱阻(�(jié)到外殼)�35°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率傳輸,并降低了功��
  2. 高速開�(guān)性能使得� MOSFET 適用于高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
  3. 小型� ThinPAK 3x3-8L 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)具備良好的散熱能力�
  4. 提供�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力 (ESD),提高了系統(tǒng)的魯棒性�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  3. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模�

替代型號(hào)

SI3443BDV-T1-E3
  IRL540N
  FDP5576
  AON7714

si3442bdv-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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si3442bdv-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI3442BDV
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C57 毫歐 @ 4A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds295pF @ 10V
  • 功率 - 最�860mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3442BDV-T1-E3TR