SI3442BDV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司旗下品牌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流以及電池保�(hù)等應(yīng)用。其封裝形式為熱增強(qiáng)� ThinPAK 3x3-8L,能夠提供出色的散熱性能�
SI3442BDV-T1-E3 的設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化效率和減小系統(tǒng)尺寸,同�(shí)保持高可靠性和耐用�,是�(xiàn)代電子設(shè)備中高效功率管理的理想選��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.9A
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):6mΩ
柵極電荷�15nC
輸入電容�1360pF
總熱阻(�(jié)到外殼)�35°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率傳輸,并降低了功��
2. 高速開�(guān)性能使得� MOSFET 適用于高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
3. 小型� ThinPAK 3x3-8L 封裝節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)具備良好的散熱能力�
4. 提供�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力 (ESD),提高了系統(tǒng)的魯棒性�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
3. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模�
SI3443BDV-T1-E3
IRL540N
FDP5576
AON7714