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SI3443BDV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/15 12:13:18 查看 閱讀:24

SI3443BDV-T1-E3 是一款由 Semtech 公司生產(chǎn)的低功耗、高精度的 RS-485/RS-422 收發(fā)器芯片。該器件采用先進(jìn)的 CMOS 工藝制造,能夠在工業(yè)溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
  其主要設(shè)計(jì)目的是為工業(yè)通信應(yīng)用提供可靠的數(shù)據(jù)傳輸解決方案,支持高達(dá) 20 Mbps 的數(shù)據(jù)速率,并具有出色的共模瞬態(tài)抗擾能力(±15 kV ESD 保護(hù))。此外,該芯片具備驅(qū)動(dòng)多達(dá) 32 個(gè)單元負(fù)載的能力,適用于多點(diǎn)通信網(wǎng)絡(luò)。

參數(shù)

工作電壓:3.3V 或 5V
  最大數(shù)據(jù)速率:20 Mbps
  接收器輸入阻抗:≥ 12 kΩ
  驅(qū)動(dòng)器輸出電流:±176 mA
  工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  封裝形式:SOIC-8
  ESD 保護(hù)等級(jí):±15 kV HBM

特性

SI3443BDV-T1-E3 芯片具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 支持半雙工和全雙工通信模式,能夠靈活適配不同的系統(tǒng)架構(gòu)。
  2. 內(nèi)置失效防護(hù)功能,在總線空閑時(shí)確保輸出為高阻狀態(tài)以防止數(shù)據(jù)沖突。
  3. 提供可選的驅(qū)動(dòng)增益設(shè)置,用戶可以通過引腳配置調(diào)整輸出信號(hào)強(qiáng)度以優(yōu)化鏈路質(zhì)量。
  4. 集成低功耗關(guān)斷模式,關(guān)斷狀態(tài)下電流消耗低于 1 μA,有助于延長(zhǎng)便攜式設(shè)備的電池壽命。
  5. 強(qiáng)大的電氣性能包括 ±15 kV HBM ESD 保護(hù)以及對(duì)共模噪聲的良好抑制能力,使其特別適合在惡劣環(huán)境下使用。
  6. 小型化 SOIC-8 封裝既節(jié)省了 PCB 空間又提高了散熱效率。

應(yīng)用

這款收發(fā)器廣泛應(yīng)用于各種需要長(zhǎng)距離、可靠數(shù)據(jù)傳輸?shù)膱?chǎng)景中,典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)間通信。
  2. 樓宇自動(dòng)化中的傳感器與控制器之間的數(shù)據(jù)交換。
  3. 電力儀表讀取及遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)。
  4. 多點(diǎn)數(shù)據(jù)采集網(wǎng)絡(luò)。
  5. 醫(yī)療設(shè)備內(nèi)部模塊間的高速信息傳遞。
  6. 安防監(jiān)控領(lǐng)域的視頻服務(wù)器與前端攝像機(jī)之間的命令同步。

替代型號(hào)

MAX1480AEE+, SP3485EIS

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si3443bdv-t1-e3產(chǎn)品

si3443bdv-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI3443BDV
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 4.7A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3443BDV-T1-E3TR