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SI3443BDV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/15 12:13:18 查看 閱讀：24

SI3443BDV-T1-E3 是一款由 Semtech 公司生產(chǎn)的低功耗、高精度的 RS-485/RS-422 收發(fā)器芯片。該器件采用先進(jìn)的 CMOS 工藝制造，能夠在工業(yè)溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
　　其主要設(shè)計(jì)目的是為工業(yè)通信應(yīng)用提供可靠的數(shù)據(jù)傳輸解決方案，支持高達(dá) 20 Mbps 的數(shù)據(jù)速率，并具有出色的共模瞬態(tài)抗擾能力（±15 kV ESD 保護(hù)）。此外，該芯片具備驅(qū)動(dòng)多達(dá) 32 個(gè)單元負(fù)載的能力，適用于多點(diǎn)通信網(wǎng)絡(luò)。

參數(shù)

工作電壓：3.3V 或 5V
　　最大數(shù)據(jù)速率：20 Mbps
　　接收器輸入阻抗：≥ 12 kΩ
　　驅(qū)動(dòng)器輸出電流：±176 mA
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +125°C
　　封裝形式：SOIC-8
　　ESD 保護(hù)等級(jí)：±15 kV HBM

特性

SI3443BDV-T1-E3 芯片具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 支持半雙工和全雙工通信模式，能夠靈活適配不同的系統(tǒng)架構(gòu)。
　　2. 內(nèi)置失效防護(hù)功能，在總線空閑時(shí)確保輸出為高阻狀態(tài)以防止數(shù)據(jù)沖突。
　　3. 提供可選的驅(qū)動(dòng)增益設(shè)置，用戶可以通過引腳配置調(diào)整輸出信號(hào)強(qiáng)度以優(yōu)化鏈路質(zhì)量。
　　4. 集成低功耗關(guān)斷模式，關(guān)斷狀態(tài)下電流消耗低于 1 μA，有助于延長(zhǎng)便攜式設(shè)備的電池壽命。
　　5. 強(qiáng)大的電氣性能包括 ±15 kV HBM ESD 保護(hù)以及對(duì)共模噪聲的良好抑制能力，使其特別適合在惡劣環(huán)境下使用。
　　6. 小型化 SOIC-8 封裝既節(jié)省了 PCB 空間又提高了散熱效率。

應(yīng)用

這款收發(fā)器廣泛應(yīng)用于各種需要長(zhǎng)距離、可靠數(shù)據(jù)傳輸?shù)膱?chǎng)景中，典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)的節(jié)點(diǎn)間通信。
　　2. 樓宇自動(dòng)化中的傳感器與控制器之間的數(shù)據(jù)交換。
　　3. 電力儀表讀取及遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)。
　　4. 多點(diǎn)數(shù)據(jù)采集網(wǎng)絡(luò)。
　　5. 醫(yī)療設(shè)備內(nèi)部模塊間的高速信息傳遞。
　　6. 安防監(jiān)控領(lǐng)域的視頻服務(wù)器與前端攝像機(jī)之間的命令同步。

替代型號(hào)

MAX1480AEE+, SP3485EIS

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si3443bdv-t1-e3產(chǎn)品

si3443bdv-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI3443BDV
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 4.7A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs9nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3443BDV-T1-E3TR