SI3453DV-T5-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型硅 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適合于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他功率管理�(yīng)用�
其封裝形式為 ThinPAK 8x8,具備出色的熱性能和電氣性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率�
型號(hào):SI3453DV-T5-GE3
�(lèi)型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源電壓)�30 V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.2 mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):170 A
VGS(th)(柵極閾值電壓)�1.25 V
Qg(總柵極電荷):35 nC
EAS(雪崩能量)�1.6 mJ
封裝:ThinPAK 8x8
SI3453DV-T5-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電� ID 和低柵極電荷 Qg,可�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和低�(kāi)�(guān)損��
3. TrenchFET 第三代技�(shù)的應(yīng)�,�(jìn)一步優(yōu)化了性能和可靠��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
5. 支持寬范圍的工作電壓,適用于多種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特點(diǎn)� SI3453DV-T5-GE3 成為高性能功率管理�(yīng)用的理想選擇�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)�(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信�(shè)備中的電源管��
6. 高效 LED �(qū)�(dòng)器設(shè)�(jì)�
其卓越的性能使其能夠在各種嚴(yán)苛環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,滿足不同行�(yè)的需��
SI3454DS-T5-GE3, IRF3710TRPBF, FDP069N06L