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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3453DV-T5-GE3

SI3453DV-T5-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:04:56 查看 閱讀�23

SI3453DV-T5-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型硅 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特�,適合于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他功率管理�(yīng)用�
  其封裝形式為 ThinPAK 8x8,具備出色的熱性能和電氣性能,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率�

參數(shù)

型號(hào):SI3453DV-T5-GE3
  �(lèi)型:N 溝道 MOSFET
  VDS(漏源電壓)�30 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.2 mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):170 A
  VGS(th)(柵極閾值電壓)�1.25 V
  Qg(總柵極電荷):35 nC
  EAS(雪崩能量)�1.6 mJ
  封裝:ThinPAK 8x8

特�

SI3453DV-T5-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電� ID 和低柵極電荷 Qg,可�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān)和低�(kāi)�(guān)損��
  3. TrenchFET 第三代技�(shù)的應(yīng)�,�(jìn)一步優(yōu)化了性能和可靠��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
  5. 支持寬范圍的工作電壓,適用于多種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  這些特點(diǎn)� SI3453DV-T5-GE3 成為高性能功率管理�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)�(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
  5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信�(shè)備中的電源管��
  6. 高效 LED �(qū)�(dòng)器設(shè)�(jì)�
  其卓越的性能使其能夠在各種嚴(yán)苛環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,滿足不同行�(yè)的需��

替代型號(hào)

SI3454DS-T5-GE3, IRF3710TRPBF, FDP069N06L

si3453dv-t5-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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