SI3458DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司旗下品牌)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和高效率,非常適合要求高性能、低功耗的�(yīng)用場��
� MOSFET 主要用于消費電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域的電源管理電路中,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路等。其小型化的封裝形式使其特別適合空間受限的設(shè)��
型號:SI3458DV-T1-E3
類型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源極耐壓):30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值@ Vgs=10V):6.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):28A
Qg(柵極電荷)�19nC
EAS(雪崩能量)�74mJ
封裝:TO-263-3L(DPAK�
SI3458DV-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低� Rds(on),能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高脈沖承受能力,可應(yīng)對瞬�(tài)電流沖擊�
3. 柵極電荷較低,有助于實現(xiàn)更快的開�(guān)速度,從而減少開�(guān)損��
4. 采用 Vishay 的先�(jìn) TrenchFET 第三代工藝,提供卓越的性能與可靠��
5. 工作溫度范圍廣(-55°C � +150°C�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
SI3458DV-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
3. 電機�(qū)動和逆變器電��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
5. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器� POL(Point of Load)轉(zhuǎn)換器�
6. 電信�(shè)備中的電源模��
SI3457DS, IRF7843TRPBF, AO3402A