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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:02:47 查看 閱讀�25

SI3459BDV-T1-GE3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用小型的表面貼裝封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其出色的性能使其在消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)��
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提高效率,因此特別適合于需要高效能表現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器等�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.2A
  �(dǎo)通電阻:85mΩ
  柵極電荷�10nC
  總電容:770pF
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
  封裝�(lèi)型:DFN1008-3

特�

SI3459BDV-T1-GE3 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)性能能夠滿足高頻�(yīng)用的需�,同�(shí)減少了開(kāi)�(guān)損��
  該器件還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能表現(xiàn)。另�,由于采用了 DFN 封裝,這款 MOSFET 可以�(shí)�(xiàn)更小� PCB 占位面積,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(xiàng)��
  其他�(guān)鍵特性包括:
  - 高雪崩能�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn)
  - ESD 保護(hù)
  - �(wěn)定的電氣參數(shù)
  這些特點(diǎn)使得 SI3459BDV-T1-GE3 成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品中的理想選擇�

�(yīng)�

SI3459BDV-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池管�
  2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路
  3. LED �(qū)�(dòng)和背光控�
  4. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化中的信�(hào)切換和保�(hù)
  6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理模塊
  憑借其卓越的性能和可靠�,該器件能夠在多種復(fù)雜環(huán)境中提供�(wěn)定的操作�

替代型號(hào)

SI3457DS-T1-E3, BSS138, FDN340P

si3459bdv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • �(xún)�(jià)

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si3459bdv-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�(lèi)MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流2.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)216 mOhms
  • 配置Single Quad Drain
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP
  • 封裝Reel
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)4 S
  • 柵極電荷 Qg4.4 nC
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2000 mW
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�16 ns, 18 ns
  • 零件�(hào)別名SI3459BDV-GE3