SI3459BDV-T1-GE3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用小型的表面貼裝封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。其出色的性能使其在消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)��
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提高效率,因此特別適合于需要高效能表現(xiàn)的應(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)器等�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.2A
�(dǎo)通電阻:85mΩ
柵極電荷�10nC
總電容:770pF
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
封裝�(lèi)型:DFN1008-3
SI3459BDV-T1-GE3 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,其快速開(kāi)�(guān)性能能夠滿足高頻�(yīng)用的需�,同�(shí)減少了開(kāi)�(guān)損��
該器件還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能表現(xiàn)。另�,由于采用了 DFN 封裝,這款 MOSFET 可以�(shí)�(xiàn)更小� PCB 占位面積,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(xiàng)��
其他�(guān)鍵特性包括:
- 高雪崩能�
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn)
- ESD 保護(hù)
- �(wěn)定的電氣參數(shù)
這些特點(diǎn)使得 SI3459BDV-T1-GE3 成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品中的理想選擇�
SI3459BDV-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電池管�
2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路
3. LED �(qū)�(dòng)和背光控�
4. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
5. 工業(yè)自動(dòng)化中的信�(hào)切換和保�(hù)
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理模塊
憑借其卓越的性能和可靠�,該器件能夠在多種復(fù)雜環(huán)境中提供�(wěn)定的操作�
SI3457DS-T1-E3, BSS138, FDN340P