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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3467DV-T1-E3

SI3467DV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:23:02 查看 閱讀�9

SI3467DV-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 公司生產(chǎn)的高集成度的 DC-DC �(zhuǎn)換器芯片,主要用于需要高效能電源管理的應(yīng)用場�。該芯片采用了先�(jìn)的工藝技�(shù),能夠提供穩(wěn)定的輸出電壓,并且具有高效率、小尺寸和易于使用的特點(diǎn)�
  此芯片適用于便攜式電子設(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及工�(yè)控制等領(lǐng)域,廣泛�(yīng)用于電池供電系統(tǒng)�,以延長電池使用壽命�

參數(shù)

輸入電壓范圍�2.7V � 5.5V
  輸出電壓范圍�0.8V � VIN
  最大輸出電流:2A
  開關(guān)頻率�2.2MHz
  工作溫度范圍�-40� � +125�
  封裝形式:QFN-16(3mm x 3mm)
  靜態(tài)電流�20uA
  效率:高�(dá)95%

特�

SI3467DV-T1-E3 具備多種先�(jìn)特�。首先,它支持寬范圍的輸入電�,能夠在 2.7V � 5.5V 的范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,從而適�(yīng)各種不同的電源環(huán)��
  其次,其高效的轉(zhuǎn)換能力確保了在不同負(fù)載條件下的出色性能,最高效率可�(dá) 95%,這對于降低功耗至�(guān)重要�
  此外,芯片內(nèi)置了過溫保護(hù)、短路保�(hù)和過流保�(hù)等功�,�(jìn)一步提升了系統(tǒng)的可靠性和安全��
  它的微型 QFN-16 封裝�(shè)�(jì)不僅節(jié)省了 PCB 空間,還簡化了設(shè)�(jì)與制造流程。另�,低靜態(tài)電流�20uA)有助于延長電池壽命,在便攜式應(yīng)用中尤為重要�

�(yīng)�

該芯片適合用于各種需要高效電源轉(zhuǎn)換的場合,包括但不限于智能手�(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的電池充電管理;可穿戴設(shè)備如智能手表或健身追蹤器;物�(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備及傳感器節(jié)�(diǎn);無線耳機(jī)和其他小型電子產(chǎn)�;以及工�(yè)�(lǐng)域內(nèi)的數(shù)�(jù)采集模塊和遠(yuǎn)程監(jiān)控裝��
  由于其出色的效率和緊湊的�(shè)�(jì),SI3467DV-T1-E3 成為�(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的電源管理解決方案之一�

替代型號

SI3468DV-T1-E3
  SI3469DV-T1-E3

si3467dv-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si3467dv-t1-e3資料 更多>

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si3467dv-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI3467DV
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.14W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3467DV-T1-E3TR