時間：2025/5/8 12:20:17
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SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造，具有低導通電阻 (Rds(on)) 和高開關速度的特點，適用于需要高效能和低損耗的電路應用。其封裝形式為 TSOP280-3 封裝，適合表面貼裝工藝，廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及通信設備等領域。
由于其出色的電氣性能和可靠性，這款 MOSFET 在多種功率轉換場合表現出色，例如 DC-DC 轉換器、負載開關、電池管理以及電機驅動等。
型號：SI3477DV-T1-GE3
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：1.5V 至 3.5V
Rds(on)（導通電阻，典型值，Vgs=4.5V 時）：2.9mΩ
最大漏源電壓 Vds：30V
最大連續(xù)漏極電流 Id：106A
總功耗 Ptot：25W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：TSOP280-3
SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻，可減少功率損耗并提高效率。
2. 高電流處理能力，使其能夠勝任大功率應用場景。
3. 寬工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境條件下也能穩(wěn)定運行。
4. 緊湊的 TSOP280-3 封裝設計，節(jié)省 PCB 空間且易于集成。
5. 快速開關速度，有助于降低開關損耗并提升動態(tài)響應性能。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該器件適用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整流功能。
2. 便攜式設備中的負載開關和電池保護。
3. 工業(yè)自動化系統中的電機驅動和電磁閥控制。
4. 數據通信設備中的信號切換和功率管理。
5. LED 照明系統的調光與驅動。
6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統（BMS）。
