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SI3477DV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 12:20:17 查看 閱讀:28

SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造,具有低導通電阻 (Rds(on)) 和高開關速度的特點,適用于需要高效能和低損耗的電路應用。其封裝形式為 TSOP280-3 封裝,適合表面貼裝工藝,廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及通信設備等領域。
  由于其出色的電氣性能和可靠性,這款 MOSFET 在多種功率轉換場合表現出色,例如 DC-DC 轉換器、負載開關、電池管理以及電機驅動等。

參數

型號:SI3477DV-T1-GE3
  Vgs(th)(柵極閾值電壓):1.5V 至 3.5V
  Rds(on)(導通電阻,典型值,Vgs=4.5V 時):2.9mΩ
  最大漏源電壓 Vds:30V
  最大連續(xù)漏極電流 Id:106A
  總功耗 Ptot:25W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:TSOP280-3

特性

SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,可減少功率損耗并提高效率。
  2. 高電流處理能力,使其能夠勝任大功率應用場景。
  3. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下也能穩(wěn)定運行。
  4. 緊湊的 TSOP280-3 封裝設計,節(jié)省 PCB 空間且易于集成。
  5. 快速開關速度,有助于降低開關損耗并提升動態(tài)響應性能。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。

應用

該器件適用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流功能。
  2. 便攜式設備中的負載開關和電池保護。
  3. 工業(yè)自動化系統中的電機驅動和電磁閥控制。
  4. 數據通信設備中的信號切換和功率管理。
  5. LED 照明系統的調光與驅動。
  6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(BMS)。

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si3477dv-t1-ge3參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫歐 @ 9A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 6V
  • 功率 - 最大4.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
  • 供應商設備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3477DV-T1-GE3TR