SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制�,具有低導通電� (Rds(on)) 和高開關速度的特點,適用于需要高效能和低損耗的電路應用。其封裝形式� TSOP280-3 封裝,適合表面貼裝工�,廣泛應用于消費電子、工�(yè)控制及通信設備等領��
由于其出色的電氣性能和可靠�,這款 MOSFET 在多種功率轉換場合表現出�,例� DC-DC 轉換�、負載開關、電池管理以及電機驅動等�
型號:SI3477DV-T1-GE3
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V � 3.5V
Rds(on)(導通電�,典型值,Vgs=4.5V 時)�2.9mΩ
最大漏源電� Vds�30V
最大連續(xù)漏極電流 Id�106A
總功� Ptot�25W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TSOP280-3
SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可減少功率損耗并提高效率�
2. 高電流處理能�,使其能夠勝任大功率應用場景�
3. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下也能�(wěn)定運��
4. 緊湊� TSOP280-3 封裝設計,節(jié)� PCB 空間且易于集��
5. 快速開關速度,有助于降低開關損耗并提升動態(tài)響應性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該器件適用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流功能�
2. 便攜式設備中的負載開關和電池保護�
3. 工業(yè)自動化系統中的電機驅動和電磁閥控制�
4. 數據通信設備中的信號切換和功率管��
5. LED 照明系統的調光與驅動�
6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(BMS��