SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術制造,具有低導通電阻 (Rds(on)) 和高開關速度的特點,適用于需要高效能和低損耗的電路應用。其封裝形式為 TSOP280-3 封裝,適合表面貼裝工藝,廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及通信設備等領域。
由于其出色的電氣性能和可靠性,這款 MOSFET 在多種功率轉換場合表現出色,例如 DC-DC 轉換器、負載開關、電池管理以及電機驅動等。
型號:SI3477DV-T1-GE3
Vgs(th)(柵極閾值電壓):1.5V 至 3.5V
Rds(on)(導通電阻,典型值,Vgs=4.5V 時):2.9mΩ
最大漏源電壓 Vds:30V
最大連續(xù)漏極電流 Id:106A
總功耗 Ptot:25W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝類型:TSOP280-3
SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,可減少功率損耗并提高效率。
2. 高電流處理能力,使其能夠勝任大功率應用場景。
3. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下也能穩(wěn)定運行。
4. 緊湊的 TSOP280-3 封裝設計,節(jié)省 PCB 空間且易于集成。
5. 快速開關速度,有助于降低開關損耗并提升動態(tài)響應性能。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該器件適用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流功能。
2. 便攜式設備中的負載開關和電池保護。
3. 工業(yè)自動化系統中的電機驅動和電磁閥控制。
4. 數據通信設備中的信號切換和功率管理。
5. LED 照明系統的調光與驅動。
6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(BMS)。