SI3481DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TSSOP-6 封裝,適用于功率管理、負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路等應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開�(guān)性能,非常適合于便攜式設(shè)�、電源適配器和電池供電系�(tǒng)中的高效能應(yīng)用�
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提高效率,同時保持較高的耐用性和可靠性。其低柵極電荷特性有助于減少開關(guān)損�,而小尺寸封裝則使其易于集成到空間受限的設(shè)�(jì)中�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�5.2A
�(dǎo)通電阻:7mΩ
柵極電荷�9nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:TSSOP-6
SI3481DV-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在典型值為 7mΩ 時能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)能力,得益于其較低的柵極電荷 (Qg),這有助于減少開關(guān)損��
3. 超小� TSSOP-6 封裝節(jié)省了印刷電路板上的空�,特別適合手持設(shè)備和其他緊湊型應(yīng)��
4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +150°C) 確保了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠��
5. 具備高雪崩能力和�(jiān)固的�(gòu)�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
SI3481DV-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
2. USB 充電器和電源適配器中的同步整��
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的小型電�(jī)�(qū)動控制�
5. LED �(qū)動器中的功率�(zhuǎn)換級�
6. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換功��
SI3482DS, SI3483DS