時間：2025/6/5 22:02:51
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SI3481DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（現(xiàn)為 Vishay 的一部分）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用 TSSOP-6 封裝，適用于功率管理、負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路等應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和快速開關(guān)性能，非常適合于便攜式設(shè)備、電源適配器和電池供電系統(tǒng)中的高效能應(yīng)用。
這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提高效率，同時保持較高的耐用性和可靠性。其低柵極電荷特性有助于減少開關(guān)損耗，而小尺寸封裝則使其易于集成到空間受限的設(shè)計(jì)中。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：5.2A
導(dǎo)通電阻：7mΩ
柵極電荷：9nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝類型：TSSOP-6
SI3481DV-T1-E3 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，在典型值為 7mΩ 時能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開關(guān)能力，得益于其較低的柵極電荷 (Qg)，這有助于減少開關(guān)損耗。
3. 超小型 TSSOP-6 封裝節(jié)省了印刷電路板上的空間，特別適合手持設(shè)備和其他緊湊型應(yīng)用。
4. 寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 至 +150°C) 確保了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠性。
5. 具備高雪崩能力和堅(jiān)固的構(gòu)造，增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
SI3481DV-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
2. USB 充電器和電源適配器中的同步整流。
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的小型電機(jī)驅(qū)動控制。
5. LED 驅(qū)動器中的功率轉(zhuǎn)換級。
6. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號切換功能。
SI3482DS, SI3483DS
