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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3481DV-T1-E3

SI3481DV-T1-E3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 22:02:51 查看 閱讀�10

SI3481DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TSSOP-6 封裝,適用于功率管理、負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路等應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速開�(guān)性能,非常適合于便攜式設(shè)�、電源適配器和電池供電系�(tǒng)中的高效能應(yīng)用�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)重點(diǎn)在于降低功耗并提高效率,同時保持較高的耐用性和可靠性。其低柵極電荷特性有助于減少開關(guān)損�,而小尺寸封裝則使其易于集成到空間受限的設(shè)�(jì)中�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�5.2A
  �(dǎo)通電阻:7mΩ
  柵極電荷�9nC
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:TSSOP-6

特�

SI3481DV-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在典型值為 7mΩ 時能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)能力,得益于其較低的柵極電荷 (Qg),這有助于減少開關(guān)損��
  3. 超小� TSSOP-6 封裝節(jié)省了印刷電路板上的空�,特別適合手持設(shè)備和其他緊湊型應(yīng)��
  4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +150°C) 確保了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性與可靠��
  5. 具備高雪崩能力和�(jiān)固的�(gòu)�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

SI3481DV-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  2. USB 充電器和電源適配器中的同步整��
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的小型電�(jī)�(qū)動控制�
  5. LED �(qū)動器中的功率�(zhuǎn)換級�
  6. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換功��

替代型號

SI3482DS, SI3483DS

si3481dv-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3481dv-t1-e3資料 更多>

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si3481dv-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI3481DV
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C48 毫歐 @ 5.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.14W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3481DV-T1-E3TR