SI3483DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,旨在提供低�(dǎo)通電阻和高效率,適用于多種開�(guān)�(yīng)用�
這種功率 MOSFET 的設(shè)計目標是減少�(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,同時保持良好的熱性能和可靠性。它通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電源管理等�(yīng)用中�
型號:SI3483DV-T1-GE3
封裝:TO-252 (DPAK)
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�9.5mΩ @ VGS=10V
ID(連續(xù)漏極電流):41A
Qg(柵極電荷)�16nC
fT(特征頻率)�3.1MHz
VGSS(最大柵源電壓):�20V
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI3483DV-T1-GE3 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷(Qg)設(shè)�,有助于在高頻操作下降低開關(guān)損��
3. 高額定電流能�,允許在較高負載條件下使��
4. 熱增強型封裝,支持高效的散熱管理�
5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
6. 符合 RoHS 標準,并且具有優(yōu)越的可靠性和耐用��
這些特點� SI3483DV-T1-GE3 成為高性能功率�(zhuǎn)換和負載控制的理想選擇�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效功率切換的場合,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. 降壓和升� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電池供電�(shè)備中的負載開�(guān)�
4. 電機�(qū)動電�,例如步進電機或無刷直流電機控制�
5. 各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
由于其高效率和穩(wěn)定性,SI3483DV-T1-GE3 在汽車電�、通信�(shè)備及家用電器�(lǐng)域也備受青睞�
SI3484DS, IRF6652ZPBF