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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3483DV-T1-GE3

SI3483DV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 18:40:32 查看 閱讀�3

SI3483DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù)制�,旨在提供低�(dǎo)通電阻和高效率,適用于多種開�(guān)�(yīng)用�
  這種功率 MOSFET 的設(shè)計目標是減少�(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,同時保持良好的熱性能和可靠性。它通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動以及電源管理等�(yīng)用中�

參數(shù)

型號:SI3483DV-T1-GE3
  封裝:TO-252 (DPAK)
  VDS(漏源電壓)�60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�9.5mΩ @ VGS=10V
  ID(連續(xù)漏極電流):41A
  Qg(柵極電荷)�16nC
  fT(特征頻率)�3.1MHz
  VGSS(最大柵源電壓):�20V
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI3483DV-T1-GE3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. �(yōu)化的柵極電荷(Qg)設(shè)�,有助于在高頻操作下降低開關(guān)損��
  3. 高額定電流能�,允許在較高負載條件下使��
  4. 熱增強型封裝,支持高效的散熱管理�
  5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  6. 符合 RoHS 標準,并且具有優(yōu)越的可靠性和耐用��
  這些特點� SI3483DV-T1-GE3 成為高性能功率�(zhuǎn)換和負載控制的理想選擇�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效功率切換的場合,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
  2. 降壓和升� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 電池供電�(shè)備中的負載開�(guān)�
  4. 電機�(qū)動電�,例如步進電機或無刷直流電機控制�
  5. 各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
  由于其高效率和穩(wěn)定性,SI3483DV-T1-GE3 在汽車電�、通信�(shè)備及家用電器�(lǐng)域也備受青睞�

替代型號

SI3484DS, IRF6652ZPBF

si3483dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3483dv-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.14W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)