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SI3585CDV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 12:31:41 查看 閱讀�14

Si3585CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式� PowerPAK? 1212-8,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載切換等�(lǐng)��
  Si3585CDV-T1-GE3 的設(shè)計目�(biāo)是優(yōu)化效率和降低功�,特別適合于需要高電流密度和高溫工作的場景。其工作電壓范圍高達(dá) 30V,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)計需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�49A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷�28nC(典型值)
  輸入電容�1360pF(典型值)
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�45°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:PowerPAK? 1212-8

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,額定漏極電流可�(dá) 49A�
  3. 快速開�(guān)性能,可有效減少開關(guān)損��
  4. 小尺寸封� PowerPAK? 1212-8,節(jié)� PCB 空間�
  5. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
  7. �(nèi)置反向二極管,支持同步整流和�(xù)流保�(hù)功能�
  8. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測��

�(yīng)�

1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 同步整流電路中的主開�(guān)或同步整� MOSFET�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模��
  6. 通信�(shè)備中的功率分配與控制�
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換方��
  8. LED �(qū)動器中的開關(guān)元件�

替代型號

Si3586DP-T1-GE3, Si3486DY-E3

si3585cdv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si3585cdv-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N and P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓+/- 20 V
  • �/源擊穿電�12 V
  • 漏極連續(xù)電流3.9 A, - 2.1 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.048 Ohms, 0.162 Ohms
  • 配置Single
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-6
  • 封裝Reel
  • 下降時間8 ns, 7 ns
  • 正向跨導(dǎo) gFS(最大�/最小值)12 S, 1 S
  • 柵極電荷 Qg3.2 nC
  • 功率耗散1.4 Watts
  • 上升時間20 ns, 10 ns
  • 典型�(guān)閉延遲時�11 ns, 13 ns
  • 零件號別�SI3585CDV-GE3