Si3585CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。其封裝形式� PowerPAK? 1212-8,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載切換等�(lǐng)��
Si3585CDV-T1-GE3 的設(shè)計目�(biāo)是優(yōu)化效率和降低功�,特別適合于需要高電流密度和高溫工作的場景。其工作電壓范圍高達(dá) 30V,能夠滿足多種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)計需求�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�49A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷�28nC(典型值)
輸入電容�1360pF(典型值)
總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�45°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:PowerPAK? 1212-8
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,額定漏極電流可�(dá) 49A�
3. 快速開�(guān)性能,可有效減少開關(guān)損��
4. 小尺寸封� PowerPAK? 1212-8,節(jié)� PCB 空間�
5. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
7. �(nèi)置反向二極管,支持同步整流和�(xù)流保�(hù)功能�
8. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測��
1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 同步整流電路中的主開�(guān)或同步整� MOSFET�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模��
6. 通信�(shè)備中的功率分配與控制�
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換方��
8. LED �(qū)動器中的開關(guān)元件�
Si3586DP-T1-GE3, Si3486DY-E3