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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3585DV-T1

SI3585DV-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 11:17:09 查看 閱讀�22

SI3585DV-T1 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。其封裝形式� ThinPAK 8x8,有助于提高功率密度并降低熱��

參數(shù)

型號(hào):SI3585DV-T1
  類型:N 溝道 MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值@VGS=10V):2.5mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):127A
  Qg(總柵極電荷):40nC
  Eoss(輸出電容能量損耗)�135nJ
  VGS(th)(柵源開啟電壓)�2.3V~4.5V
  fT(特征頻率)�9.7MHz
  Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55℃~175�
  封裝:ThinPAK 8x8

特�

SI3585DV-T1 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),使其在高電流應(yīng)用中具備出色的效率表�(xiàn)�
  2. 高速開�(guān)性能,得益于較低的柵極電� Qg 和優(yōu)化的寄生電容�(shè)�(jì)�
  3. 小型化封� ThinPAK 8x8 提供了卓越的散熱性能,同�(shí)節(jié)� PCB 空間�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝生�(chǎn)�
  5. 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間高溫環(huán)境運(yùn)��
  6. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端條件下的�(wěn)定��

�(yīng)�

SI3585DV-T1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的負(fù)載開�(guān)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
  6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信�(shè)備的電源�(zhuǎn)換電��

替代型號(hào)

SI3472DP-T1
  SI3483DP-T1
  IRF7742
  FDP5510

si3585dv-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3585dv-t1資料 更多>

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si3585dv-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N and P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓+/- 20 V
  • �/源擊穿電�+/- 12 V
  • 漏極連續(xù)電流2.4 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.125 Ohms, 0.2 Ohms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-6
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散830 mW
  • 上升�(shí)�30 ns at N Channel, 34 ns at P Channel
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 商標(biāo)�TrenchFET
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�14 ns at N Channel, 19 ns at P Channel