SI3900DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件廣泛應用于需要高效率和低導通電阻的應用場景�,例� DC-DC 轉換器、負載開�、電機驅(qū)動以及電池保護電路等。其�(yōu)異的電氣性能和緊湊的封裝設計使得它成為現(xiàn)代電力電子設計的理想選擇�
SI3900DV-T1-GE3 的主要特點是其較低的導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)的效��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
柵極電荷�37nC(典型值)
總電容:150pF(輸入電� Ciss 典型值)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
邏輯電平兼容性:支持
SI3900DV-T1-GE3 提供了多種優(yōu)勢以滿足�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的需求:
1. 極低的導通電阻確保了高效的功率傳輸,減少了能量損��
2. 高額定電流能力使其適用于大功率應用�
3. 支持邏輯電平�(qū)動,簡化了與�(shù)字控制電路的集成�
4. 工作溫度范圍寬廣,適合各種惡劣環(huán)境下的應��
5. 緊湊� DPAK 封裝節(jié)省了 PCB 空間,并具有良好的散熱性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于采購�
這款 MOSFET 主要用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流和主開關�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保��
4. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離和功率控制�
5. 便攜式設備中的電池管理和充電電路�
6. �(shù)�(jù)通信設備中的電源管理模塊�
SI3847DP-T1-GE3, IRFZ44N