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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 21:53:35 查看 閱讀�9

SI3900DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強� MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 (DPAK) 封裝形式。該器件廣泛應用于需要高效率和低導通電阻的應用場景�,例� DC-DC 轉換器、負載開�、電機驅(qū)動以及電池保護電路等。其�(yōu)異的電氣性能和緊湊的封裝設計使得它成為現(xiàn)代電力電子設計的理想選擇�
  SI3900DV-T1-GE3 的主要特點是其較低的導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)的效��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻:1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  柵極電荷�37nC(典型值)
  總電容:150pF(輸入電� Ciss 典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  邏輯電平兼容性:支持

特�

SI3900DV-T1-GE3 提供了多種優(yōu)勢以滿足�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)的需求:
  1. 極低的導通電阻確保了高效的功率傳輸,減少了能量損��
  2. 高額定電流能力使其適用于大功率應用�
  3. 支持邏輯電平�(qū)動,簡化了與�(shù)字控制電路的集成�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適合各種惡劣環(huán)境下的應��
  5. 緊湊� DPAK 封裝節(jié)省了 PCB 空間,并具有良好的散熱性能�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于采購�

應用

這款 MOSFET 主要用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流和主開關�
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電��
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保��
  4. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離和功率控制�
  5. 便攜式設備中的電池管理和充電電路�
  6. �(shù)�(jù)通信設備中的電源管理模塊�

替代型號

SI3847DP-T1-GE3, IRFZ44N

si3900dv-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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si3900dv-t1-ge3資料 更多>

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si3900dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI3900DV
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 2.4A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�830mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應商設備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI3900DV-T1-GE3TR