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SI3905DV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 19:01:53 查看 閱讀:20

SI3905DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,主要應(yīng)用于高效率的開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù),能夠提供極低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能,同時(shí)其封裝形式為熱增強(qiáng)型 SOIC-8 封裝,具有出色的散熱能力。
  這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能、小型化和低功耗的需求。其耐壓能力高達(dá) 60V,并具備快速開關(guān)特性,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:27A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(在 Vgs=10V 時(shí))
  柵極電荷:43nC
  輸入電容:2030pF
  總功耗:18W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場合。
  3. 高耐壓能力(60V),可承受瞬態(tài)高壓沖擊。
  4. 熱增強(qiáng)型 SOIC-8 封裝,改善了散熱性能,使得器件能夠在更高功率密度下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛。
  6. 支持寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源 (SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 負(fù)載開關(guān)
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制
  7. 通信設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊

替代型號

IRF3205
  STP1670DP

si3905dv-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si3905dv-t1-e3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) P 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 2.5A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)