時(shí)間：2025/5/27 19:01:53
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SI3905DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，主要應(yīng)用于高效率的開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù)，能夠提供極低的導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能，同時(shí)其封裝形式為熱增強(qiáng)型 SOIC-8 封裝，具有出色的散熱能力。
這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能、小型化和低功耗的需求。其耐壓能力高達(dá) 60V，并具備快速開關(guān)特性，非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：27A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.4mΩ（在 Vgs=10V 時(shí)）
柵極電荷：43nC
輸入電容：2030pF
總功耗：18W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用場合。
3. 高耐壓能力（60V），可承受瞬態(tài)高壓沖擊。
4. 熱增強(qiáng)型 SOIC-8 封裝，改善了散熱性能，使得器件能夠在更高功率密度下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛。
6. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
1. 開關(guān)電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 負(fù)載開關(guān)
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
6. 工業(yè)自動(dòng)化控制
7. 通信設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊
IRF3205
STP1670DP
