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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3905DV-T1-E3

SI3905DV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 19:01:53 查看 閱讀�20

SI3905DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,主要應(yīng)用于高效率的開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場�。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),能夠提供極低的�(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能,同�(shí)其封裝形式為熱增�(qiáng)� SOIC-8 封裝,具有出色的散熱能力�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效�、小型化和低功耗的需�。其耐壓能力高達(dá) 60V,并具備快速開�(guān)特�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�27A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�43nC
  輸入電容�2030pF
  總功耗:18W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
  3. 高耐壓能力�60V�,可承受瞬態(tài)高壓沖擊�
  4. 熱增�(qiáng)� SOIC-8 封裝,改善了散熱性能,使得器件能夠在更高功率密度下穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
  6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)惡劣�(huán)境條��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源 (SMPS)
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. �(fù)載開�(guān)
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控�
  7. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模�

替代型號

IRF3205
  STP1670DP

si3905dv-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si3905dv-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)8V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 2.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)