SI3905DV-T1 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)性能,非常適合用于各種功率轉(zhuǎn)�、負載開�(guān)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用。其封裝形式� SOT-23 封裝,有助于在緊湊型�(shè)計中實現(xiàn)高效能表�(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�4.2A
柵源開啟電壓�1.1V~2.2V
導通電阻(典型�,在 Vgs=10V 時)�85mΩ
總功耗:560mW
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
SI3905DV-T1 的主要特點包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可以減少傳導損�,提高效率�
2. 快速開�(guān)速度使其適合高頻操作�(huán)��
3. 較低的柵極電� (Qg) 和輸入電� (Ciss),可以降低驅(qū)動損��
4. 支持邏輯電平�(qū)動,可直接與常見的微控制器或邏輯電路配合使用�
5. 小巧� SOT-23 封裝,便于表面貼裝技�(shù) (SMT) 應用,節(jié)省空��
6. 高可靠性和寬溫度范�,適用于惡劣的工作環(huán)��
這款 MOSFET 主要應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電池供電�(shè)備中的負載開�(guān)�
3. 電機�(qū)動和控制電路�
4. 各類便攜式電子設(shè)備中的電源管理模��
5. 過流保護和短路保護電路�
6. 信號切換和音頻放大器中的開關(guān)元件�
SI3906DS-T1, SI4426DY-T1