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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3905DV-T1

SI3905DV-T1 發(fā)布時間 時間�2025/6/11 9:54:13 查看 閱讀�5

SI3905DV-T1 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)性能,非常適合用于各種功率轉(zhuǎn)�、負載開�(guān)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用。其封裝形式� SOT-23 封裝,有助于在緊湊型�(shè)計中實現(xiàn)高效能表�(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�4.2A
  柵源開啟電壓�1.1V~2.2V
  導通電阻(典型�,在 Vgs=10V 時)�85mΩ
  總功耗:560mW
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

SI3905DV-T1 的主要特點包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可以減少傳導損�,提高效率�
  2. 快速開�(guān)速度使其適合高頻操作�(huán)��
  3. 較低的柵極電� (Qg) 和輸入電� (Ciss),可以降低驅(qū)動損��
  4. 支持邏輯電平�(qū)動,可直接與常見的微控制器或邏輯電路配合使用�
  5. 小巧� SOT-23 封裝,便于表面貼裝技�(shù) (SMT) 應用,節(jié)省空��
  6. 高可靠性和寬溫度范�,適用于惡劣的工作環(huán)��

應用

這款 MOSFET 主要應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電池供電�(shè)備中的負載開�(guān)�
  3. 電機�(qū)動和控制電路�
  4. 各類便攜式電子設(shè)備中的電源管理模��
  5. 過流保護和短路保護電路�
  6. 信號切換和音頻放大器中的開關(guān)元件�

替代型號

SI3906DS-T1, SI4426DY-T1

si3905dv-t1推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3905dv-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓8 V
  • �/源擊穿電�+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流2.5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)0.125 Ohms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-6
  • 封裝Reel
  • 下降時間47 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.15 W
  • 上升時間47 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 商標�TrenchFET
  • 典型�(guān)閉延遲時�28 ns