SI3909DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于多種功率控制應(yīng)用。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度而聞名,能夠在高頻條件下提供高效的性能表現(xiàn)。
該產(chǎn)品特別適合用于負(fù)載切換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理等應(yīng)用場合。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:3.8A
導(dǎo)通電阻:0.028Ω
總功耗:1.4W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝類型:TO-252 (DPAK)
輸入電容:1080pF
SI3909DV-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下為 0.028Ω,這可以顯著降低功率損耗并提高效率。
2. 高開關(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)用。
3. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C 到 +175°C 的極端環(huán)境,增強(qiáng)了其可靠性。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
5. 封裝設(shè)計(jì)緊湊,易于集成到各種電路板中。
SI3909DV-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
2. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于便攜式設(shè)備或汽車電子系統(tǒng)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路,如步進(jìn)電機(jī)或無刷直流電機(jī)。
4. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 通信設(shè)備中的信號(hào)放大和功率管理模塊。
SI3909DS-T1-GE3
IRLZ44N
FDP5570
AON7202