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SI3909DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 16:24:36 查看 閱讀:13

SI3909DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它采用 TO-252 (DPAK) 封裝,適用于多種功率控制應(yīng)用。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度而聞名,能夠在高頻條件下提供高效的性能表現(xiàn)。
  該產(chǎn)品特別適合用于負(fù)載切換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電源管理等應(yīng)用場合。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:3.8A
  導(dǎo)通電阻:0.028Ω
  總功耗:1.4W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  輸入電容:1080pF

特性

SI3909DV-T1-GE3 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下為 0.028Ω,這可以顯著降低功率損耗并提高效率。
  2. 高開關(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)用。
  3. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C 到 +175°C 的極端環(huán)境,增強(qiáng)了其可靠性。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
  5. 封裝設(shè)計(jì)緊湊,易于集成到各種電路板中。

應(yīng)用

SI3909DV-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
  2. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于便攜式設(shè)備或汽車電子系統(tǒng)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路,如步進(jìn)電機(jī)或無刷直流電機(jī)。
  4. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 通信設(shè)備中的信號(hào)放大和功率管理模塊。

替代型號(hào)

SI3909DS-T1-GE3
  IRLZ44N
  FDP5570
  AON7202

si3909dv-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3909dv-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) P 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫歐 @ 1.8A,4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)500mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)