SI3911DV-T1 是一款由 Vishay 推出的雙路 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管,采用小型化的 TSSOP-8 封裝形式。該器件適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。它具有出色的開關(guān)性能、高電流承載能力和較低的功耗特性,適合用于消費電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
SI3911DV-T1 的設(shè)計旨在提供卓越的電氣性能與緊湊的物理尺寸,使其成為對空間敏感的設(shè)計的理想選擇。此外,其封裝形式也具備良好的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)整體效率。
型號:SI3911DV-T1
品牌:Vishay
類型:MOSFET
封裝:TSSOP-8
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):25mΩ @ VGS = 10V
ID(連續(xù)漏極電流):37A
VGS(th)(柵極閾值電壓):2.2V ~ 4.0V
f(max)(最大工作頻率):5MHz
功耗:2.3W
工作溫度范圍:-55°C ~ +150°C
SI3911DV-T1 具有以下顯著特點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 可以減少功率損耗,從而提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力(高達(dá) 37A),使得該器件能夠勝任多種高功率應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)速度(支持高達(dá) 5MHz 的工作頻率),使其在高頻電路中表現(xiàn)優(yōu)異。
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C 至 +150°C),確保了其在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛,滿足現(xiàn)代綠色制造需求。
6. 小巧的 TSSOP-8 封裝不僅節(jié)省 PCB 空間,還能提供良好的散熱性能。
SI3911DV-T1 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為同步整流器或功率級開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高效功率開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路,例如步進(jìn)電機(jī)或直流無刷電機(jī)控制器。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用作充放電路徑的控制開關(guān)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與功率調(diào)節(jié)。
6. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
SI3912DS-T1, SI4426DY-T1