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SI3911DV-T1 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 20:46:51 查看 閱讀:27

SI3911DV-T1 是一款由 Vishay 推出的雙路 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管,采用小型化的 TSSOP-8 封裝形式。該器件適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。它具有出色的開關(guān)性能、高電流承載能力和較低的功耗特性,適合用于消費電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
  SI3911DV-T1 的設(shè)計旨在提供卓越的電氣性能與緊湊的物理尺寸,使其成為對空間敏感的設(shè)計的理想選擇。此外,其封裝形式也具備良好的散熱性能,有助于提高系統(tǒng)整體效率。

參數(shù)

型號:SI3911DV-T1
  品牌:Vishay
  類型:MOSFET
  封裝:TSSOP-8
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):25mΩ @ VGS = 10V
  ID(連續(xù)漏極電流):37A
  VGS(th)(柵極閾值電壓):2.2V ~ 4.0V
  f(max)(最大工作頻率):5MHz
  功耗:2.3W
  工作溫度范圍:-55°C ~ +150°C

特性

SI3911DV-T1 具有以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 可以減少功率損耗,從而提升系統(tǒng)效率。
  2. 高電流承載能力(高達(dá) 37A),使得該器件能夠勝任多種高功率應(yīng)用場景。
  3. 快速開關(guān)速度(支持高達(dá) 5MHz 的工作頻率),使其在高頻電路中表現(xiàn)優(yōu)異。
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C 至 +150°C),確保了其在極端環(huán)境下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛,滿足現(xiàn)代綠色制造需求。
  6. 小巧的 TSSOP-8 封裝不僅節(jié)省 PCB 空間,還能提供良好的散熱性能。

應(yīng)用

SI3911DV-T1 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為同步整流器或功率級開關(guān)元件。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高效功率開關(guān)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路,例如步進(jìn)電機(jī)或直流無刷電機(jī)控制器。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用作充放電路徑的控制開關(guān)。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與功率調(diào)節(jié)。
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。

替代型號

SI3912DS-T1, SI4426DY-T1

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si3911dv-t1產(chǎn)品

si3911dv-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓20 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流2.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.145 Ohms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-6
  • 封裝Reel
  • 下降時間29 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散830 mW
  • 上升時間29 ns
  • 工廠包裝數(shù)量3000
  • 商標(biāo)名TrenchFET
  • 典型關(guān)閉延遲時間24 ns