SI3911DV-T1 時間：2025/5/20 20:46:51 閱讀：27

SI3911DV-T1 是一款由 Vishay 推出的雙路 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 功率晶體管，采用小型化的 TSSOP-8 封裝形式。該器件適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。它具有出色的開關(guān)性能、高電流承載能力和較低的功耗特性，適合用于消費電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
　　SI3911DV-T1 的設(shè)計旨在提供卓越的電氣性能與緊湊的物理尺寸，使其成為對空間敏感的設(shè)計的理想選擇。此外，其封裝形式也具備良好的散熱性能，有助于提高系統(tǒng)整體效率。

參數(shù)

型號：SI3911DV-T1
　　品牌：Vishay
　　類型：MOSFET
　　封裝：TSSOP-8
　　VDS（漏源極電壓）：60V
　　RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：25mΩ @ VGS = 10V
　　ID（連續(xù)漏極電流）：37A
　　VGS(th)（柵極閾值電壓）：2.2V ~ 4.0V
　　f(max)（最大工作頻率）：5MHz
　　功耗：2.3W
　　工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C

特性

SI3911DV-T1 具有以下顯著特點：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 可以減少功率損耗，從而提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力（高達(dá) 37A），使得該器件能夠勝任多種高功率應(yīng)用場景。
　　3. 快速開關(guān)速度（支持高達(dá) 5MHz 的工作頻率），使其在高頻電路中表現(xiàn)優(yōu)異。
　　4. 寬泛的工作溫度范圍（-55°C 至 +150°C），確保了其在極端環(huán)境下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛，滿足現(xiàn)代綠色制造需求。
　　6. 小巧的 TSSOP-8 封裝不僅節(jié)省 PCB 空間，還能提供良好的散熱性能。

應(yīng)用

SI3911DV-T1 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為同步整流器或功率級開關(guān)元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高效功率開關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動電路，例如步進(jìn)電機(jī)或直流無刷電機(jī)控制器。
　　4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)，用作充放電路徑的控制開關(guān)。
　　5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與功率調(diào)節(jié)。
　　6. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。