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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3951DV-T1-GE3

SI3951DV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 18:43:06 查看 閱讀�3

SI3951DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 灃道硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel Silicon Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)� NMOSFET�。該器件采用小型化的封裝�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高電流處理能力等�(yōu)�(shì),廣泛適用于多種電力電子�(yīng)��
  該器件基于先�(jìn)的制造工�,能夠顯著降低功率損�,同�(shí)提高系統(tǒng)效率。它通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理等場(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�6.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ
  柵極電荷�24nC
  總電容:320pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

SI3951DV-T1-GE3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為 7mΩ�,有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,從而提升整體效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,使得該器件非常適合高頻�(yīng)用環(huán)��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色設(shè)�(jì)需��
  5. 支持高溫操作(最高可�(dá) 175℃),確保在惡劣�(huán)境下依然可靠�(yùn)��
  6. 小型化封裝(TO-252/DPAK),節(jié)� PCB 空間,便于緊湊型�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

SI3951DV-T1-GE3 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies)中的同步整流和主開�(guān)元件�
  2. 電池保護(hù)電路中作為充放電控制開關(guān)�
  3. 各類�(fù)載開�(guān),用于實(shí)�(xiàn)�(shè)備的快速開啟與�(guān)��
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用作功率級(jí)開關(guān)或方向控制元��
  5. 便攜式電子產(chǎn)品中的高� DC-DC �(zhuǎn)換模��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和信�(hào)隔離組件�

替代型號(hào)

SI4481DY-T1-E3, BSC016N06NSG, IRF7832TRPBF

si3951dv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3951dv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) P 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C115 毫歐 @ 2.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5.1nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds250pF @ 10V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)