SI3951DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 灃道硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel Silicon Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)� NMOSFET�。該器件采用小型化的封裝�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高電流處理能力等�(yōu)�(shì),廣泛適用于多種電力電子�(yīng)��
該器件基于先�(jìn)的制造工�,能夠顯著降低功率損�,同�(shí)提高系統(tǒng)效率。它通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理等場(chǎng)景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�6.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ
柵極電荷�24nC
總電容:320pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
SI3951DV-T1-GE3 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為 7mΩ�,有助于減少�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損�,從而提升整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度,使得該器件非常適合高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色設(shè)�(jì)需��
5. 支持高溫操作(最高可�(dá) 175℃),確保在惡劣�(huán)境下依然可靠�(yùn)��
6. 小型化封裝(TO-252/DPAK),節(jié)� PCB 空間,便于緊湊型�(shè)�(jì)�
SI3951DV-T1-GE3 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies)中的同步整流和主開�(guān)元件�
2. 電池保護(hù)電路中作為充放電控制開關(guān)�
3. 各類�(fù)載開�(guān),用于實(shí)�(xiàn)�(shè)備的快速開啟與�(guān)��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用作功率級(jí)開關(guān)或方向控制元��
5. 便攜式電子產(chǎn)品中的高� DC-DC �(zhuǎn)換模��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和信�(hào)隔離組件�
SI4481DY-T1-E3, BSC016N06NSG, IRF7832TRPBF