SI3993DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術制造,具有極低的導通電阻和出色的開關性能,非常適合于需要高效率和低損耗的應用場景。其封裝形式� TinyPower? 2x2 mm DFN8 (TSSOP8),有助于節(jié)省電路板空間并提升散熱性能�
這款 MOSFET 廣泛應用于消費電�、通信設備、計算機及外設等領域,特別適� DC/DC 轉換�、負載開�、同步整流和電機驅動等應��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�7.1A
導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷�21nC
輸入電容�1340pF
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝類型:DFN8 (TSSOP8)
SI3993DV-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可有效降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,能夠滿足高頻應用需��
3. 小尺寸封裝設�,便于在緊湊型設計中使用�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
5. 可靠性高,能夠在寬溫度范圍內�(wěn)定工作�
6. 內置反向二極�,簡化了電路設計并增強了功能安全��
7. 支持大電流操�,適用于多種功率轉換和控制場��
� MOSFET 常用于以下應用場景:
1. 開關電源中的同步整流�
2. DC/DC 轉換器的核心開關元件�
3. 負載開關,在各種便攜式設備中實現(xiàn)快速開啟和關閉�
4. 電池管理系統(tǒng)的保護和控制�
5. 電機驅動電路,用于調節(jié)速度和方��
6. LED 照明驅動,提供精確的電流控制�
7. 各種工業(yè)自動化和汽車電子系統(tǒng)中的功率級組��
SI3993DS, SI3461DS