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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI3993DV-T1-GE3

SI3993DV-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 1:33:41 查看 閱讀�16

SI3993DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術制造,具有極低的導通電阻和出色的開關性能,非常適合于需要高效率和低損耗的應用場景。其封裝形式� TinyPower? 2x2 mm DFN8 (TSSOP8),有助于節(jié)省電路板空間并提升散熱性能�
  這款 MOSFET 廣泛應用于消費電�、通信設備、計算機及外設等領域,特別適� DC/DC 轉換�、負載開�、同步整流和電機驅動等應��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�7.1A
  導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷�21nC
  輸入電容�1340pF
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  封裝類型:DFN8 (TSSOP8)

特�

SI3993DV-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,可有效降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開關性能,能夠滿足高頻應用需��
  3. 小尺寸封裝設�,便于在緊湊型設計中使用�
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  5. 可靠性高,能夠在寬溫度范圍內�(wěn)定工作�
  6. 內置反向二極�,簡化了電路設計并增強了功能安全��
  7. 支持大電流操�,適用于多種功率轉換和控制場��

應用

� MOSFET 常用于以下應用場景:
  1. 開關電源中的同步整流�
  2. DC/DC 轉換器的核心開關元件�
  3. 負載開關,在各種便攜式設備中實現(xiàn)快速開啟和關閉�
  4. 電池管理系統(tǒng)的保護和控制�
  5. 電機驅動電路,用于調節(jié)速度和方��
  6. LED 照明驅動,提供精確的電流控制�
  7. 各種工業(yè)自動化和汽車電子系統(tǒng)中的功率級組��

替代型號

SI3993DS, SI3461DS

si3993dv-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si3993dv-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � P 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C133 毫歐 @ 2.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�830mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應商設備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)