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SI4100DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 17:24:17 查看 閱讀:17

SI4100DY 是一款由 VISHAY 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用了小型化的 SOT-23 封裝形式,適用于空間受限的電路設(shè)計(jì)。它具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開關(guān)性能,能夠滿足高效功率轉(zhuǎn)換及信號切換的需求。
  其典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊、便攜式設(shè)備中的電池保護(hù)以及電機(jī)驅(qū)動等場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流:1.7A
  柵極-源極電壓范圍:-1V 至 +6V
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):150mΩ(在 Vgs=4.5V 時(shí))
  功耗:0.3W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃

特性

SI4100DY 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
  1. 高效節(jié)能:得益于其低導(dǎo)通電阻特性,可顯著減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
  2. 快速開關(guān)速度:該器件具備短開關(guān)時(shí)間,從而減少了開關(guān)過程中的能量損失。
  3. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
  4. 穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能。
  5. 安全可靠:內(nèi)置過熱保護(hù)功能,防止因過載導(dǎo)致?lián)p壞。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保無鉛材料制成,符合國際環(huán)保法規(guī)要求。

應(yīng)用

SI4100DY 廣泛應(yīng)用于多種電子領(lǐng)域,具體如下:
  1. 移動通信設(shè)備:如智能手機(jī)和平板電腦中的電源管理單元。
  2. 工業(yè)自動化:用作繼電器或接觸器的替代品,以實(shí)現(xiàn)更精確的控制。
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如打印機(jī)、掃描儀等設(shè)備中的負(fù)載切換。
  4. 計(jì)算機(jī)外設(shè):硬盤驅(qū)動器、固態(tài)硬盤等存儲設(shè)備中的電源控制。
  5. 汽車電子系統(tǒng):車身控制系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)中的低功率開關(guān)應(yīng)用。

替代型號

SI4402DY, BSS138, FDN340P

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si4100dy-t1-e3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C63 毫歐 @ 4.4A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds600pF @ 50V
  • 功率 - 最大6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)