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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 16:26:34 查看 閱讀�12

SI4174DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生產(chǎn)的高性能射頻 CMOS 功率放大�,專為藍(lán)牙低功� (BLE) 和其他短距離無線通信�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件支持 2.4 GHz ISM 頻段,并提供高線性度和高效率的輸出功�,非常適合用于物�(lián)�(wǎng)�(shè)�、智能家居產(chǎn)品以及可穿戴�(shè)備等�(yīng)用場景�
  SI4174DY-T1-GE3 采用緊湊型封�,簡化了 PCB �(shè)�(jì)并降低了整體解決方案的成�。其�(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò)減少了外部元件數(shù)�,從而�(jìn)一步優(yōu)化了空間利用��

參數(shù)

工作頻率�2400 MHz � 2500 MHz
  輸出功率�+10 dBm
  電源電壓�1.8 V � 3.6 V
  靜態(tài)電流�23 mA(典型值)
  �(guān)斷電流:1 μA(最大值)
  增益�13 dB(典型值)
  回波損耗:-10 dB(最小值)
  封裝類型:MLP 4x4
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

1. 高效能:
  SI4174DY-T1-GE3 提供高達(dá) +10 dBm 的輸出功率,同時(shí)保持較低的功�,非常適合電池供電的�(shè)備�
  2. 高集成度�
  該器件集成了輸出匹配�(wǎng)�(luò)和直流阻斷電�,減少了外部組件的需�,從而簡化了�(shè)�(jì)流程�
  3. 廣泛的工作電壓:
  支持 1.8 V � 3.6 V 的寬范圍電源電壓,增�(qiáng)了其在不同應(yīng)用場景中的適用性�
  4. 小型化封裝:
  采用 MLP 4x4 封裝形式,具有極小的尺寸,便于嵌入小型化的產(chǎn)品中�
  5. �(wěn)定性能�
  具備良好的線性度和低失真特�,確保信號傳輸質(zhì)��

�(yīng)�

1. �(lán)牙低功� (BLE) 模塊�
  適用于各� BLE �(yīng)用場景,如信�(biāo)、傳感器節(jié)�(diǎn)和遠(yuǎn)程控��
  2. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)備:
  廣泛�(yīng)用于智能家居、工�(yè)自動化和�(yī)療監(jiān)測等�(lǐng)��
  3. 可穿戴設(shè)備:
  包括智能手表、健身追蹤器和其他便攜式電子�(chǎn)��
  4. 無線音頻傳輸�
  可用于無線耳機(jī)、揚(yáng)聲器和其他音頻相�(guān)�(shè)��
  5. RFID � Zigbee 系統(tǒng)�
  在這些短距離無線通信系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用�

替代型號

SI4173DY-T1-GE3
  SI4175DY-T1-GE3

si4174dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si4174dy-t1-ge3資料 更多>

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si4174dy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds985pF @ 15V
  • 功率 - 最�5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4174DY-T1-GE3-NDSI4174DY-T1-GE3TR