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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:25:01 查看 閱讀�12

SI4276DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用微� DPAK (TO-263) 封裝。該器件專為高效�、低功耗的�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的電源管理解決方案�
  其主要特�(diǎn)是出色的熱性能、堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì)以及能夠承受高電流負(fù)載的能力,使其成為需要高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號:SI4276DY-T1-E3
  封裝:TO-263(DPAK�
  Vds(漏源電壓)�60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�9.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 下)
  Id(連續(xù)漏極電流):42A
  Pd(總功耗)�108W
  f(工作頻率范圍):高�(dá) 1MHz
  Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V(典型值)
  Qg(總柵極電荷):23nC(典型值)
   Qgs(柵源電荷)�3.2nC(典型值)
   Eoss(輸出電容能量)�17nJ(典型值)

特�

SI4276DY-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 極低� Rds(on),在高電流應(yīng)用中減少了傳�(dǎo)損耗,提高了整體效��
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻操�,從而降低了開關(guān)損��
  3. �(qiáng)大的散熱性能,通過�(yōu)化的 TO-263 封裝確保了更高的可靠性�
  4. 支持寬范圍的工作電壓,使其兼容各種不同的電源系統(tǒng)�
  5. 良好的電氣耐受性和抗干擾能�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

這款 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配�、充電器等�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電池管理�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級�(yīng)��
  5. 通信電源� UPS 系統(tǒng)�
  6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�

替代型號

SI4276DP, SI4277DY, IRF540N

si4276dy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si4276dy-t1-e3�(chǎn)�

si4276dy-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.3 毫歐 @ 9.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.6W�2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)