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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4392DY-T1-E3

SI4392DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 14:16:54 查看 閱讀�13

SI4392DY-T1-E3 是一款高性能的射頻收�(fā)器芯�,由 Silicon Labs 公司生產(chǎn)。該芯片主要面向低功耗無(wú)線應(yīng)用設(shè)�(jì),支持廣泛的頻率范圍�240 MHz � 960 MHz�,適用于多種�(wú)線通信�(xié)議和專有�(wú)線網(wǎng)�(luò)�
  SI4392DY-T1-E3 提供高度集成的射頻前�,包括功率放大器、低噪聲放大器以及天線開(kāi)�(guān)等功能模�,極大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并降低了物料成本。其靈活性和可編程性使其成為工�(yè)、科�(xué)及醫(yī)療(ISM)頻段應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

工作頻率范圍�240 MHz - 960 MHz
  輸出功率�+20 dBm(最大)
  接收靈敏度:-121 dBm(典型�,數(shù)�(jù)速率 1.2 kbps�
  供電電壓�1.8 V - 3.6 V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:QFN-40�6x6 mm�
  �(diào)制方式:FSK、GFSK、MSK、OQPSK

特�

SI4392DY-T1-E3 芯片具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高度集成化:�(nèi)� PA、LNA 和天線開(kāi)�(guān),減少了外部元件需�,節(jié)省電路板空間�
  2. 可編程性:通過(guò)寄存器配置,用戶可以靈活�(diào)整射頻參�(shù)以滿足不同應(yīng)用需��
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)模式下電流消耗極低,非常適合電池供電�(shè)��
  4. 支持多種�(diào)制模式:能夠適應(yīng)不同的通信�(biāo)�(zhǔn)與協(xié)議�
  5. 廣泛的工作頻率范圍:覆蓋多�(gè) ISM 頻段,提升了芯片的適用性�
  6. �(qiáng)大的抗干擾能力:具備高線性度和低相位噪聲性能,確保數(shù)�(jù)傳輸可靠性�
  7. 易于�(kāi)�(fā):Silicon Labs 提供了完整的�(kāi)�(fā)工具鏈和參考設(shè)�(jì),加速產(chǎn)品上市時(shí)間�

�(yīng)�

SI4392DY-T1-E3 廣泛�(yīng)用于各種�(wú)線通信�(chǎng)�,包括但不限于:
  1. 智能家居:如遙控器、傳感器節(jié)�(diǎn)��
  2. 工業(yè)自動(dòng)化:用于�(wú)線傳感網(wǎng)�(luò)和設(shè)備監(jiān)��
  3. �(yī)療電子:�(shí)�(xiàn)健康�(jiān)�(cè)�(shè)備間的無(wú)線數(shù)�(jù)傳輸�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如玩具、音頻設(shè)備等�
  5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT):�(gòu)建短距離或中距離�(wú)線連接�(wǎng)�(luò)�
  6. �(wú)線報(bào)警系�(tǒng):為安防�(lǐng)域提供可靠的�(shù)�(jù)通信方案�

替代型號(hào)

SI4393DY-T1-E3
  SI4395DY-T1-E3
  SI4396DY-T1-E3

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  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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si4392dy-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流21.5 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)7.5 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�8 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散3 W
  • 上升�(shí)�5 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�45 ns
  • 零件�(hào)別名SI4392DY-E3