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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 5:52:04 查看 閱讀�21

SI4410BDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能 Sub-GHz �(wú)線收�(fā)器芯�,廣泛應(yīng)用于物聯(lián)�(wǎng)(IoT)、工�(yè)控制、家庭自�(dòng)化和�(yuǎn)程傳感器�(wǎng)�(luò)等領(lǐng)�。該芯片基于低功耗設(shè)�(jì),支持多種調(diào)制方�,并提供高靈敏度接收和強(qiáng)大的輸出功率,能夠在�(fù)雜的射頻�(huán)境中�(shí)�(xiàn)�(wěn)定可靠的通信�
  SI4410 集成了完整的射頻前端,包括功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)和匹配�(wǎng)�(luò),減少了外部元件需�,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并降低了成本�

參數(shù)

工作頻率范圍�150 MHz � 960 MHz
  供電電壓�1.8 V � 3.6 V
  最大輸出功率:+20 dBm
  接收靈敏度:-121 dBm(典型值,� 1.2 kbps � GFSK �(diào)制為例)
  �(diào)制方式:(G)FSK�(G)MSK、OOK、ASK
  �(shù)�(jù)速率�0.15 kbps � 768 kbps
  待機(jī)電流:約 0.2 μA
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:QFN32 (5x5 mm)
  接口類型:SPI

特�

SI4410BDY-T1-GE3 具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高集成度:內(nèi)置功率放大器、低噪聲放大器和匹配�(wǎng)�(luò),減少外部元件數(shù)�,節(jié)� PCB 空間�
  2. 多種�(diào)制模式:支持 (G)FSK�(G)MSK、OOK � ASK 等調(diào)制方式,適用于不同應(yīng)用場(chǎng)景的需��
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在深度睡眠模式下電流僅� 0.2 μA,適合電池供電的低功耗設(shè)��
  4. 靈活的數(shù)�(jù)速率:支持從 0.15 kbps � 768 kbps 的寬范圍�(shù)�(jù)速率,滿足高速和低速傳輸需求�
  5. �(qiáng)大的抗干擾能力:具備高靈敏度接收和可編程的自�(dòng)增益控制(AGC�,確保復(fù)雜環(huán)境下的可靠通信�
  6. 易用性:通過(guò) SPI 接口與主控制器通信,簡(jiǎn)單易�,同�(shí)支持靈活的寄存器配置,滿足定制化需��
  7. 寬溫范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣條件�

�(yīng)�

SI4410BDY-T1-GE3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備:如智能家居網(wǎng)�(guān)、智能家電、環(huán)境監(jiān)�(cè)��
  2. 工業(yè)自動(dòng)化:用于�(yuǎn)程傳感器節(jié)�(diǎn)、工廠設(shè)備監(jiān)控和�(shù)�(jù)采集�
  3. 家庭自動(dòng)化:例如燈光控制、門(mén)鎖系�(tǒng)、安防報(bào)警等�
  4. �(yī)療電子:適用于健康監(jiān)�(cè)�(shè)�、患者追蹤系�(tǒng)��
  5. 智能�(nóng)�(yè):用于土壤濕度傳感器、氣象站等遠(yuǎn)程監(jiān)控系�(tǒng)�
  6. �(wú)線抄表:支持水表、電�、氣表等�(jì)�?jī)x表的�(yuǎn)程數(shù)�(jù)讀��
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如無(wú)線鍵�(pán)、鼠�(biāo)和其他短距離通信�(shè)備�

替代型號(hào)

SI4412, SI4432, CC1101

si4410bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4410bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)