国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4425BDY-T1-GE3

SI4425BDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 14:58:07 查看 閱讀:30

SI4425BDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅實驗室)推出的高性能、低功耗的 sub-GHz 無線收發(fā)器芯片。該芯片主要應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備、家庭自動化、工業(yè)控制和消費類電子產(chǎn)品等領(lǐng)域,支持多種調(diào)制模式和全球范圍內(nèi)的 ISM 頻段操作。
  SI4425 提供靈活的配置選項,可以滿足不同應(yīng)用對數(shù)據(jù)速率、傳輸距離和能耗的要求。其內(nèi)置的功能模塊包括頻率合成器、功率放大器、低噪聲放大器以及數(shù)字基帶處理器等,極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計。

參數(shù)

工作頻段:315 MHz 至 960 MHz
  輸出功率:+20 dBm(最大)
  接收靈敏度:-121 dBm(典型值,F(xiàn)SK 調(diào)制下)
  供電電壓:1.8 V 至 3.6 V
  工作電流:接收模式 - 14.4 mA;發(fā)射模式(+10 dBm)- 27.4 mA
  待機電流:0.2 μA
  調(diào)制方式:FSK、GFSK、MSK、OOK、ASK
  數(shù)據(jù)速率:0.15 kbps 至 500 kbps
  溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

SI4425BDY-T1-GE3 具有高度集成的設(shè)計,包含一個高效的功率放大器和一個低噪聲前端,能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)距離通信和高抗干擾能力。
  芯片內(nèi)嵌了多種省電模式,使得設(shè)備在電池供電的情況下也可以長時間運行。此外,它支持多協(xié)議操作,允許用戶自定義包格式和幀結(jié)構(gòu)。
  該器件還集成了自動應(yīng)答和自動重傳功能,以提高鏈路可靠性和降低主控制器的負(fù)載。通過 SPI 或 UART 接口可輕松與微控制器連接,并且提供了完整的開發(fā)套件和軟件庫,方便開發(fā)者快速上手。

應(yīng)用

SI4425BDY-T1-GE3 廣泛適用于各類無線通信場景,包括但不限于:
  智能家居控制系統(tǒng),如燈光控制、溫濕度監(jiān)控等。
  工業(yè)遙測和遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)。
  無線報警與安防設(shè)備。
  醫(yī)療健康監(jiān)測裝置。
  消費類電子產(chǎn)品的短距離數(shù)據(jù)傳輸。

替代型號

SI4432
  SI4463

si4425bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4425bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 11.4A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)