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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4425DDY-T1-GE3

SI4425DDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 11:42:28 查看 閱讀�21

SI4425DDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅實驗室)推出的高性能 Sub-GHz 無線收發(fā)器芯�,廣泛應用于低功耗無線通信�(lǐng)�。該芯片支持多種�(diào)制模式和頻段配置,適合需要高可靠�、遠距離傳輸?shù)奈锫?lián)�(wǎng) (IoT) 和工�(yè)應用。其�(shè)計注重低功耗特�,特別適用于電池供電的設(shè)��
  SI4425 提供了靈活的硬件接口和強大的�(shù)字信號處理能�,能夠輕松與微控制器配合使用,簡化系�(tǒng)開發(fā)流程�

參數(shù)

工作頻率范圍�137 MHz � 1050 MHz
  輸出功率�+20 dBm(最大)
  靈敏度:-121 dBm(典型�,以 1.2 kbps GFSK 計算�
  �(diào)制方式:FSK、GFSK、MSK、OQPSK
  電源電壓�1.8 V � 3.6 V
  工作電流:接收模式下 13.1 mA,發(fā)射模式下 41.6 mA�+10 dBm 輸出功率�
  待機電流�0.2 μA
  �(shù)�(jù)速率�0.15 kbps � 300 kbps
  封裝類型�4 x 4 mm QFN 封裝

特�

SI4425DDY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 支持全球范圍�(nèi)� Sub-GHz 頻段,可滿足不同國家和地區(qū)的頻率法�(guī)要求�
  2. 高度集成的射頻前端設(shè)�,減少了外部元件�(shù)量和 PCB 占用面積�
  3. �(nèi)置自動增益控� (AGC) 功能,確保在復雜�(huán)境下的穩(wěn)定接收性能�
  4. 具備可編程數(shù)�(jù)包格式和前向糾錯 (FEC) 功能,提高了�(shù)�(jù)傳輸?shù)目煽啃院涂垢蓴_能力�
  5. 提供 SPI 和中斷引腳等接口,便于與主控 MCU 進行通信�
  6. 支持休眠模式和快速喚醒功能,進一步降低系�(tǒng)功��
  7. 可通過寄存器配置調(diào)整各種射頻參�(shù),適應多種應用場景需��

應用

SI4425DDY-T1-GE3 廣泛用于以下應用�(lǐng)域:
  1. 家居自動�,例如智能燈�、溫控器和安防系�(tǒng)�
  2. 工業(yè)無線傳感器網(wǎng)�(luò) (WSN),如�(huán)境監(jiān)�、資�(chǎn)跟蹤和遠程監(jiān)控�
  3. 抄表系統(tǒng),包括水�、電表和氣表的無線數(shù)�(jù)采集�
  4. 消費類電子產(chǎn)�,例如無線鍵盤、遙控器和玩��
  5. �(yī)療保健設(shè)�,如可穿戴健康監(jiān)測儀和便攜式診斷工具�
  6. �(nóng)�(yè)技�(shù)中的精準灌溉和牲畜管理解決方��
  由于其低功耗特性和長距離通信能力,SI4425 成為許多嵌入式無線系�(tǒng)的理想選��

替代型號

SI4432, SI4463

si4425ddy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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si4425ddy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.8 毫歐 @ 13A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs80nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2610pF @ 15V
  • 功率 - 最�5.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4425DDY-T1-GE3-NDSI4425DDY-T1-GE3TR