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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 2:11:19 查看 閱讀�16

SI4431BDY-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 提供的高性能、低功� Sub-GHz RF 收發(fā)器芯�,適用于各種無線�(yīng)用。該器件支持 100 kHz � 450 MHz 的頻率范�,具有高度集成的�(shè)�(jì),能夠簡化開�(fā)過程并降低系�(tǒng)成本�
  SI4431 提供靈活的調(diào)制方案和�(qiáng)大的鏈路�(yù)�,使其成為構(gòu)建可靠無線通信的理想選擇。其廣泛�(yīng)用于家庭自動�、工�(yè)控制、傳感器�(wǎng)�(luò)、遠(yuǎn)程控制等�(lǐng)��

參數(shù)

工作頻率范圍�100 kHz � 450 MHz
  輸出功率�+20 dBm(最大)
  接收靈敏度:-121 dBm(典型值,使用 2-FSK �(diào)制)
  電源電壓�1.8 V � 3.6 V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�4x4 mm QFN24

特�

SI4431BDY-T1-E3 提供卓越的性能和靈活性:
  1. 支持多種�(diào)制模�,包� 2-FSK、GFSK、MSK、OQPSK � ASK/FSK 混合模式�
  2. 高達(dá) +20 dBm 的可編程輸出功率�
  3. �(nèi)置自動增益控� (AGC) 功能以優(yōu)化接收性能�
  4. 靈活的數(shù)�(jù)速率支持,最高可�(dá) 300 kbps�
  5. 提供硬件前向糾錯(cuò) (FEC) 和數(shù)�(jù)包處理功�,減少軟件開銷�
  6. �(nèi)部集成了 PLL、VCO、PA � LNA,減少了外部元件需��
  7. 極低功耗設(shè)�(jì),休眠模式電流僅� 0.2 μA�
  8. 支持空中升級 (OTA) 和自定義�(xié)議開�(fā)�
  9. 提供�(wěn)健的抗干擾能力,適用于復(fù)雜電磁環(huán)境中的應(yīng)��

�(yīng)�

SI4431BDY-T1-E3 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 家庭自動化系�(tǒng),如智能照明、恒溫器和安防設(shè)��
  2. 工業(yè)控制與監(jiān)�,例如遠(yuǎn)程傳感器節(jié)�(diǎn)和機(jī)器狀�(tài)�(jiān)��
  3. 無線�(bào)警系�(tǒng)及安防設(shè)備�
  4. �(yuǎn)程抄表解決方�,包括水表、電表和�?xì)獗�?br>  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如玩具和遙控��
  6. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT) �(shè)�,支持低功耗、長距離通信需��
  7. �(yī)療電子設(shè)備,如健康監(jiān)測裝置和無線�(shù)�(jù)傳輸模塊�

替代型號

SI4432, SI4463

si4431bdy-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si4431bdy-t1-e3資料 更多>

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si4431bdy-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI4431BDY
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫歐 @ 7.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4431BDY-T1-E3TR