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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:31:14 查看 閱讀�39

SI4435DDY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅�(shí)�(yàn)室)推出的高性能無線收發(fā)器芯片,屬于 Sub-GHz 頻段射頻解決方案。該芯片主要面向低功�、遠(yuǎn)距離的無線通信�(yīng)用場�,適用于多種物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備及工業(yè)控制�(lǐng)��
  SI4435 提供靈活的調(diào)制方式和可配置的�(shù)�(jù)速率,支� FSK、GFSK、MSK � OOK 等常見調(diào)制模�。其�(shè)�(jì)具有高集成度和易用性,能夠顯著簡化系統(tǒng)�(shè)�(jì)并降低整體功��

參數(shù)

工作頻率�240 MHz � 960 MHz
  輸出功率�+20 dBm(最大)
  靈敏度:-121 dBm(典型�,F(xiàn)SK �(diào)制下�
  供電電壓�1.8 V � 3.6 V
  待機(jī)功耗:<20 nA
  接收電流�12.5 mA(典型值)
  �(fā)射電流:31 mA(典型��+10 dBm 輸出功率�
  �(shù)�(jù)速率�0.1 kbps � 300 kbps
  封裝形式:QFN32�5mm x 5mm�

特�

SI4435DDY-T1-GE3 具備以下顯著特性:
  1. 高效能無線通信能力,覆� Sub-GHz 頻段,適合長距離傳輸�
  2. 支持多種�(diào)制方式(FSK、GFSK、MSK、OOK�,可根據(jù)�(yīng)用需求靈活調(diào)��
  3. 極低功耗設(shè)�(jì),尤其在待機(jī)狀�(tài)�,功耗極低,延長電池使用壽命�
  4. �(nèi)置硬件加密引�,提供更高的�(shù)�(jù)安全��
  5. 集成 PA/LNA,無需外部放大器即可實(shí)�(xiàn)�(qiáng)大的信號覆蓋范圍�
  6. 簡單易用� SPI 接口,便于與微控制器連接和配��
  7. 可編程數(shù)�(jù)包格式和�(xié)議支�,滿足定制化需求�
  8. 工作溫度范圍廣(-40°C � +85°C�,適�(yīng)惡劣�(huán)��

�(yīng)�

SI4435DDY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種需要低功耗和長距離無線通信的場�,包括但不限于:
  1. 智能家居�(shè)�,如溫控�、智能插座等�
  2. 工業(yè)自動化和�(yuǎn)程監(jiān)控系�(tǒng)�
  3. 抄表系統(tǒng)(水�、電表、氣表)�
  4. 安防�(bào)警系�(tǒng)�
  5. �(nóng)�(yè)灌溉和環(huán)境監(jiān)測�
  6. 無線傳感器網(wǎng)�(luò)(WSN��
  7. �(yī)療健康設(shè)備,例如便攜式監(jiān)�(hù)儀或遠(yuǎn)程診斷工��
  由于其卓越的性能表現(xiàn),該芯片成為許多物聯(lián)�(wǎng)終端的理想選��

替代型號

SI4432, SI4455, CC1101

si4435ddy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si4435ddy-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流8.1 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)24 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降時間12 ns, 16 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2500 mW
  • 上升時間8 ns, 35 ns
  • 工廠包裝�(shù)�2500
  • 典型�(guān)閉延遲時�45 ns, 40 ns
  • 零件號別�SI4435DDY-GE3