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SI4501DY-T1 發(fā)布時間 時間:2025/4/28 20:23:30 查看 閱讀:40

SI4501DY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和快速開關(guān)速度,適用于多種電源管理應(yīng)用,包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路等。該型號采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封裝,有助于在緊湊設(shè)計中實現(xiàn)高效率和低功耗性能。
  該器件工作電壓范圍寬廣,可承受高達(dá) 60V 的漏源電壓 (Vds),同時其柵極驅(qū)動電壓低至 4.5V 即可完全開啟,非常適合便攜式設(shè)備和其他低電壓系統(tǒng)的應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓 (Vds):60V
  連續(xù)漏電流 (Id):8.5A
  導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):75mΩ @ Vgs=4.5V
  柵極閾值電壓 (Vgs(th)):1.3V 至 3V
  總功耗:2.4W
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

SI4501DY-T1 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力使其非常適合高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
  3. 柵極驅(qū)動電壓低至 4.5V,能夠兼容多種邏輯電平輸入信號。
  4. 具備出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠的性能。
  5. 小型化封裝有助于節(jié)省 PCB 空間,適合緊湊型設(shè)計。
  6. 工作溫度范圍寬,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。

應(yīng)用

SI4501DY-T1 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  2. 電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路。
  3. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  4. 電機(jī)驅(qū)動和 PWM 控制電路。
  5. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流開關(guān)。
  6. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源管理模塊。

替代型號

SI4502DY-T1, SI4401DY-T1

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4501dy-t1參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性N and P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓30 V, 8 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V, +/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流9 A, 6.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)18 mOhms, 42 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 下降時間17 ns, 60 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升時間9 ns, 50 ns
  • 工廠包裝數(shù)量2500
  • 典型關(guān)閉延遲時間35 ns, 110 ns