SI4501DY-T1 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和快速開關(guān)速度,適用于多種電源管理應(yīng)用,包括 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路等。該型號采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封裝,有助于在緊湊設(shè)計中實現(xiàn)高效率和低功耗性能。
該器件工作電壓范圍寬廣,可承受高達(dá) 60V 的漏源電壓 (Vds),同時其柵極驅(qū)動電壓低至 4.5V 即可完全開啟,非常適合便攜式設(shè)備和其他低電壓系統(tǒng)的應(yīng)用。
最大漏源電壓 (Vds):60V
連續(xù)漏電流 (Id):8.5A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):75mΩ @ Vgs=4.5V
柵極閾值電壓 (Vgs(th)):1.3V 至 3V
總功耗:2.4W
封裝類型:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
SI4501DY-T1 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 可減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力使其非常適合高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
3. 柵極驅(qū)動電壓低至 4.5V,能夠兼容多種邏輯電平輸入信號。
4. 具備出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠的性能。
5. 小型化封裝有助于節(jié)省 PCB 空間,適合緊湊型設(shè)計。
6. 工作溫度范圍寬,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
SI4501DY-T1 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
2. 電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路。
3. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
4. 電機(jī)驅(qū)動和 PWM 控制電路。
5. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流開關(guān)。
6. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源管理模塊。
SI4502DY-T1, SI4401DY-T1