SI4804CDY-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用了TrenchFET Gen III技�(shù),具有低導通電阻和快速開關特�,適用于高頻開關應用和功率管理領��
該器件的封裝形式為PowerPAK 1212-8,具有出色的熱性能和電氣性能,非常適合用于便攜式設備、計算機外設以及通信系統(tǒng)中的負載開關、DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流等場景�
最大漏源電壓:30V
最大柵極源極電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�4.4A
導通電阻(典型值)�7.5mΩ
導通電阻(最大值)�9mΩ
柵極電荷�6.9nC
反向恢復時間�7ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
SI4804CDY-T1-GE3采用先進的TrenchFET工藝,實�(xiàn)了超低的導通電阻和柵極電荷,從而減少了導通損耗和開關損��
其PowerPAK 1212-8封裝形式不僅體積小巧,還具備卓越的散熱能�,使其能夠在高功率密度的應用中保持穩(wěn)定運行�
此外,該器件支持高達150°C的工作溫度范�,適合在嚴苛�(huán)境下使用�
由于其低導通電阻和快速開關性能,該MOSFET特別適合于需要高效率和高頻率操作的場�,例如多� buck �(zhuǎn)換器、負載點電源和電池供電設備中的電子保險絲等�
SI4804CDY-T1-GE3廣泛應用于消費電�、工�(yè)控制和通信設備中,具體包括�
筆記本電腦和其他便攜式設備中的負載開��
高頻DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關�
通信系統(tǒng)的電源管理模��
電子保險絲和過流保護電路�
電池管理系統(tǒng)中的同步整流元件�
SI4803CDY-T1-GE3
Si4405DY
Si4405DY-T1