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時(shí)間：2025/6/5 12:35:50
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SI4812BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 芯片。該芯片主要應(yīng)用于需要高效能開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)景，例如電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。其采用小型化的 Trench 技術(shù)制造，具有出色的電氣性能和熱性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：5.4A
導(dǎo)通電阻（典型值）：12mΩ
柵極電荷：17nC
開關(guān)速度：快速
封裝類型：SOT-23
SI4812BDY-T1-E3 的特點(diǎn)是具備非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少了導(dǎo)通損耗并提高了系統(tǒng)效率。此外，它還擁有較小的柵極電荷，有助于實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)操作，降低開關(guān)損耗。芯片的小型化封裝 SOT-23 使其非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)合。
同時(shí)，這款 MOSFET 具備高雪崩擊穿能力，能夠在異常條件下提供額外的保護(hù)功能。在設(shè)計(jì)中使用 SI4812BDY-T1-E3 可以顯著提升系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
該芯片適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于消費(fèi)類電子產(chǎn)品的負(fù)載開關(guān)、通信設(shè)備中的電源管理模塊、工業(yè)控制系統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、便攜式設(shè)備中的電池管理單元等。此外，由于其高效能表現(xiàn)，也廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)中。
SI4826DY, SI4402DY
