時間：2025/5/13 11:23:52
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SI4822DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用小型化的 TO-263-3 封裝，廣泛用于開關電源、負載開關、DC-DC 轉換器以及其他功率管理應用中。其低導通電阻和高效率特性使得它在需要高效能功率切換的應用中表現(xiàn)出色。
這款 MOSFET 通過優(yōu)化設計實現(xiàn)了更低的功耗和更高的可靠性，適用于消費電子、工業(yè)控制和汽車電子等多個領域。
最大漏源電壓：60V
最大連續(xù)漏電流：7.2A
最大柵極驅動電壓：±20V
導通電阻（典型值）：15mΩ
總功耗：29W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-263-3
SI4822DY-T1-GE3 具有以下顯著特性：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，從而降低導通損耗并提高整體效率。
2. 較高的漏源擊穿電壓 (BVDSS)，能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊。
3. 快速開關速度，減少了開關損耗，并適合高頻應用。
4. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常條件下的魯棒性。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且無鉛設計。
6. 寬廣的工作溫度范圍，使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運行。
這些特性共同確保了 SI4822DY-T1-GE3 在各種復雜電路中的高性能表現(xiàn)。
該型號的 MOSFET 可以應用于以下場景：
1. 開關電源（SMPS）中的主開關或同步整流元件。
2. 各類 DC-DC 轉換器中作為功率開關。
3. 電池保護和管理系統(tǒng)中的負載開關。
4. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動電路。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和信號切換。
6. 消費電子產品中的過流保護和短路保護功能實現(xiàn)。
由于其高效的性能和廣泛的適用性，SI4822DY-T1-GE3 成為許多設計工程師的首選器件。
SI4823DY, IRFZ44N, FDP5800
