SI4823DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術制造,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關等應用領域。
這款 MOSFET 的封裝形式為 ThinPAK 8x8(D2PAK 封裝),能夠提供出色的散熱性能,同時其低柵極電荷和快速開關速度使其非常適合高頻應用。
最大漏源電壓:55V
連續(xù)漏極電流:42A
導通電阻(典型值):1.6mΩ
柵極電荷:79nC
開關時間:ton=10ns, toff=20ns
工作結溫范圍:-55°C 至 +175°C
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力,適合大功率應用。
3. 快速開關速度和低柵極電荷設計,優(yōu)化了高頻下的性能。
4. 強大的熱性能和耐用性,確保在極端條件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標準,并具備無鉛封裝,滿足環(huán)保要求。
6. 封裝小巧,易于集成到緊湊型設計中。
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC 轉換器
3. ORing 二極管替代方案
4. 電機驅動和控制
5. 負載開關和保護電路
6. 工業(yè)電源模塊
7. 通信設備中的功率管理
IRF7729TRPBF
STP40NF06L
FDP047N06L