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SI4823DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 13:43:50 查看 閱讀:17

SI4823DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術制造,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關等應用領域。
  這款 MOSFET 的封裝形式為 ThinPAK 8x8(D2PAK 封裝),能夠提供出色的散熱性能,同時其低柵極電荷和快速開關速度使其非常適合高頻應用。

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  連續(xù)漏極電流:42A
  導通電阻(典型值):1.6mΩ
  柵極電荷:79nC
  開關時間:ton=10ns, toff=20ns
  工作結溫范圍:-55°C 至 +175°C

特性

1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,適合大功率應用。
  3. 快速開關速度和低柵極電荷設計,優(yōu)化了高頻下的性能。
  4. 強大的熱性能和耐用性,確保在極端條件下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標準,并具備無鉛封裝,滿足環(huán)保要求。
  6. 封裝小巧,易于集成到緊湊型設計中。

應用

1. 開關電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉換器
  3. ORing 二極管替代方案
  4. 電機驅動和控制
  5. 負載開關和保護電路
  6. 工業(yè)電源模塊
  7. 通信設備中的功率管理

替代型號

IRF7729TRPBF
  STP40NF06L
  FDP047N06L

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si4823dy-t1-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 晶體管極性P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓20 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 12 V
  • 漏極連續(xù)電流3.3 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)108 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOIC-8 Narrow
  • 封裝Reel
  • 正向跨導 gFS(最大值/最小值)6 S
  • 柵極電荷 Qg8 nC
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散2.8 W
  • 零件號別名SI4823DY-GE3