時間：2025/5/22 13:43:50
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SI4823DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術制造，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器、負載開關等應用領域。
這款 MOSFET 的封裝形式為 ThinPAK 8x8（D2PAK 封裝），能夠提供出色的散熱性能，同時其低柵極電荷和快速開關速度使其非常適合高頻應用。
最大漏源電壓：55V
連續(xù)漏極電流：42A
導通電阻（典型值）：1.6mΩ
柵極電荷：79nC
開關時間：ton=10ns, toff=20ns
工作結溫范圍：-55°C 至 +175°C
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力，適合大功率應用。
3. 快速開關速度和低柵極電荷設計，優(yōu)化了高頻下的性能。
4. 強大的熱性能和耐用性，確保在極端條件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標準，并具備無鉛封裝，滿足環(huán)保要求。
6. 封裝小巧，易于集成到緊湊型設計中。
1. 開關電源（SMPS）
2. DC-DC 轉換器
3. ORing 二極管替代方案
4. 電機驅動和控制
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IRF7729TRPBF
STP40NF06L
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