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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4825DDY-T1-EG3

SI4825DDY-T1-EG3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 21:39:20 查看 閱讀�21

SI4825DDY-T1-EG3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用� Vishay 的功� MOSFET 技�(shù),適用于高效能開(kāi)�(guān)�(yīng)用。其采用小型化的 DPAK 封裝形式(TO-263�,能夠在高頻和高電流條件下提供出色的性能�
  該型�(hào)屬于 SiHF 系列的功� MOSFET,優(yōu)化了�(dǎo)通電阻與�(kāi)�(guān)特�,非常適合用于直流電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管�、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及各種功率�(zhuǎn)換電路中�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�39A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
  柵極電荷�27nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI4825DDY-T1-EG3 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力,使其在高效率應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。此�,它還具備以下特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 較小的柵極電荷,有助于降低開(kāi)�(guān)損耗并提升高頻性能�
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)�(shè)�(jì)要求�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于需要高效功率控制的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)及保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 電動(dòng)�(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS��
  6. 各種便攜式電子設(shè)備中的電源管理單��

替代型號(hào)

SI4826DDY-T1-E3
  SI4828DY-T1-E3
  IRF3710
  FDP5500NL

si4825ddy-t1-eg3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)