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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 15:27:05 查看 閱讀�20

SI4829DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,非常適合用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
  � MOSFET 的封裝形式為 DSOP-8,支持表面貼裝工�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和焊�。其工作電壓范圍�,能夠承受高�(dá) 60V 的漏源電壓,同時(shí)提供高達(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流(在適當(dāng)?shù)纳釛l件下��

參數(shù)

最大漏源電� Vds�60V
  柵極閾值電� Vgs(th)�2.5V � 4.5V
  最大漏極電� Id�40A
  �(dǎo)通電� Rds(on)(在 Vgs=10V �(shí)):2.5mΩ
  �(dǎo)通電� Rds(on)(在 Vgs=4.5V �(shí)):3.7mΩ
  總功� Ptot�252W
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:DSOP-8

特�

SI4829DY-T1-GE3 基于先�(jìn)� TrenchFET 工藝制�,具備以下顯著特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電路等�
  3. 高雪崩擊穿能� (EAS),增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  4. 支持高密度封�,節(jié)� PCB 空間,同�(shí)保持良好的散熱性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換和保護(hù)�
  4. 大功� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制和保護(hù)電路�

替代型號(hào)

SI4836DY, SI4842DY

si4829dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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  • 型號(hào)
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si4829dy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列LITTLE FOOT®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)二極管(隔離式)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C215 毫歐 @ 2.5A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds210pF @ 10V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4829DY-T1-GE3TR