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SI4840DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 10:05:11 查看 閱讀：27

SI4840DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種高效能轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 Hot FET? 封裝（TO-263-3），有助于提高散熱性能并簡(jiǎn)化 PCB 設(shè)計(jì)。
　　這款 MOSFET 的額定電壓為 40V，適合在低壓系統(tǒng)中使用，例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路等。憑借其出色的電氣特性和可靠性，SI4840DY-T1-E3 成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域中的熱門選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：29A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.5mΩ
　　柵極電荷（典型值）：7.5nC
　　輸入電容（典型值）：1220pF
　　總功耗：12W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 高開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗，提升動(dòng)態(tài)性能。
　　3. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無(wú)鉛。
　　4. 具備強(qiáng)大的雪崩能力，能夠在異常條件下提供更高的耐用性。
　　5. 緊湊型表面貼裝封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省空間。
　　6. 出色的熱性能，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
　　7. 低柵極電荷和輸入電容，便于驅(qū)動(dòng)并優(yōu)化開關(guān)性能。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. 同步整流電路
　　4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
　　5. 工業(yè)電機(jī)控制
　　6. 負(fù)載切換和保護(hù)電路
　　7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊
　　8. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)

替代型號(hào)

SI4865DY, IRFZ44N, FDP5500NL

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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si4840dy-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI4840DY
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 14A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4840DY-T1-E3TR