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SI4850EY 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/28 13:00:26 查看 閱讀:36

SI4850EY 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用 Trench 技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。它通常用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種需要高效開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
  SI4850EY 的封裝形式為 SO-8(表面貼裝),這使其非常適合于空間受限的設(shè)計(jì)環(huán)境。

參數(shù)

型號(hào):SI4850EY
  類型:N溝道功率 MOSFET
  VDS(漏源電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值,@ VGS=10V):2.9mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):56A
  Qg(柵極電荷):37nC
  EAS(雪崩能量):3.3mJ
  fT(特征頻率):3.2MHz
  封裝:SO-8

特性

SI4850EY 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 快速開關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
  3. 高雪崩耐量能力,能夠承受過載或短路情況下的能量沖擊。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
  5. 優(yōu)化的熱性能,適合長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 小型化的 SO-8 封裝,便于表面貼裝工藝。
  7. 廣泛的工作溫度范圍 -55°C 至 +175°C,適用于多種惡劣環(huán)境條件。

應(yīng)用

SI4850EY 常見的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,特別是降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
  3. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
  5. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率管理模塊。
  6. 太陽能逆變器以及其他可再生能源系統(tǒng)中的電力轉(zhuǎn)換部分。

替代型號(hào)

SI4851DY, IRFZ44N, FDP5500

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si4850ey參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流6 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)22 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SO-8
  • 下降時(shí)間10 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散1.7 W
  • 上升時(shí)間10 ns
  • 工廠包裝數(shù)量100
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間25 ns