時間：2025/5/12 20:53:57
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SI4880DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術，具有較低的導通電阻和高開關速度，適合于高頻、高效能的應用場合。其封裝形式為 HotPlate 封裝（TO-263-3），有助于提高散熱性能。
這款 MOSFET 常用于 DC/DC 轉換器、負載開關、電機驅動以及電信和網(wǎng)絡設備中的功率管理應用。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：52A
導通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ（在 Vgs=10V 時）
總柵極電荷：38nC
輸入電容：2790pF
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
SI4880DY-T1-GE3 具有非常低的導通電阻，這使得它在大電流應用中能夠顯著降低功耗。此外，由于采用了先進的 TrenchFET 技術，該器件還具備快速開關能力，有助于減少開關損耗。
此款 MOSFET 的高電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍使其非常適合嚴苛環(huán)境下的應用。同時，HotPlate 封裝通過優(yōu)化熱傳導路徑，提高了器件的散熱效率，從而進一步增強了可靠性。
Vishay 在制造過程中注重產(chǎn)品的質量和一致性，因此 SI4880DY-T1-GE3 在批量生產(chǎn)中也能保持高性能表現(xiàn)。
該 MOSFET 廣泛應用于各種需要高效功率轉換的場景，例如服務器和通信電源中的同步整流、負載點轉換器（POL）、DC/DC 轉換器等。此外，它也適用于消費電子領域，比如筆記本電腦適配器和 USB-PD 控制器。
在工業(yè)自動化領域，SI4880DY-T1-GE3 可用作電機驅動電路的核心元件，支持高速切換和精確控制。另外，汽車電子系統(tǒng)如電池管理系統(tǒng)和電動助力轉向系統(tǒng)也可采用此型號以實現(xiàn)更高的能源利用率。
SI4870DY, IRF7778PbF
