SI4880DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�,具有較低的導通電阻和高開關速度,適合于高頻、高效能的應用場�。其封裝形式� HotPlate 封裝(TO-263-3�,有助于提高散熱性能�
這款 MOSFET 常用� DC/DC 轉換�、負載開�、電機驅動以及電信和�(wǎng)絡設備中的功率管理應��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�52A
導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(在 Vgs=10V 時)
總柵極電荷:38nC
輸入電容�2790pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
SI4880DY-T1-GE3 具有非常低的導通電阻,這使得它在大電流應用中能夠顯著降低功�。此外,由于采用了先進的 TrenchFET 技�,該器件還具備快速開關能力,有助于減少開關損��
此款 MOSFET 的高電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍使其非常適合嚴苛�(huán)境下的應�。同�,HotPlate 封裝通過�(yōu)化熱傳導路徑,提高了器件的散熱效�,從而進一步增強了可靠��
Vishay 在制造過程中注重�(chǎn)品的質量和一致�,因� SI4880DY-T1-GE3 在批量生�(chǎn)中也能保持高性能表現(xiàn)�
� MOSFET 廣泛應用于各種需要高效功率轉換的場景,例如服務器和通信電源中的同步整流、負載點轉換器(POL)、DC/DC 轉換器等。此�,它也適用于消費電子領域,比如筆記本電腦適配器和 USB-PD 控制��
在工�(yè)自動化領�,SI4880DY-T1-GE3 可用作電機驅動電路的核心元件,支持高速切換和精確控制。另外,汽車電子系統(tǒng)如電池管理系�(tǒng)和電動助力轉向系�(tǒng)也可采用此型號以實現(xiàn)更高的能源利用率�
SI4870DY, IRF7778PbF