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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 20:53:57 查看 閱讀�26

SI4880DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�,具有較低的導通電阻和高開關速度,適合于高頻、高效能的應用場�。其封裝形式� HotPlate 封裝(TO-263-3�,有助于提高散熱性能�
  這款 MOSFET 常用� DC/DC 轉換�、負載開�、電機驅動以及電信和�(wǎng)絡設備中的功率管理應��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�52A
  導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(在 Vgs=10V 時)
  總柵極電荷:38nC
  輸入電容�2790pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

SI4880DY-T1-GE3 具有非常低的導通電阻,這使得它在大電流應用中能夠顯著降低功�。此外,由于采用了先進的 TrenchFET 技�,該器件還具備快速開關能力,有助于減少開關損��
  此款 MOSFET 的高電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍使其非常適合嚴苛�(huán)境下的應�。同�,HotPlate 封裝通過�(yōu)化熱傳導路徑,提高了器件的散熱效�,從而進一步增強了可靠��
  Vishay 在制造過程中注重�(chǎn)品的質量和一致�,因� SI4880DY-T1-GE3 在批量生�(chǎn)中也能保持高性能表現(xiàn)�

應用

� MOSFET 廣泛應用于各種需要高效功率轉換的場景,例如服務器和通信電源中的同步整流、負載點轉換器(POL)、DC/DC 轉換器等。此�,它也適用于消費電子領域,比如筆記本電腦適配器和 USB-PD 控制��
  在工�(yè)自動化領�,SI4880DY-T1-GE3 可用作電機驅動電路的核心元件,支持高速切換和精確控制。另外,汽車電子系統(tǒng)如電池管理系�(tǒng)和電動助力轉向系�(tǒng)也可采用此型號以實現(xiàn)更高的能源利用率�

替代型號

SI4870DY, IRF7778PbF

si4880dy-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4880dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫歐 @ 13A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs25nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)