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SI4880DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 20:53:57 查看 閱讀:26

SI4880DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術,具有較低的導通電阻和高開關速度,適合于高頻、高效能的應用場合。其封裝形式為 HotPlate 封裝(TO-263-3),有助于提高散熱性能。
  這款 MOSFET 常用于 DC/DC 轉換器、負載開關、電機驅動以及電信和網(wǎng)絡設備中的功率管理應用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:52A
  導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(在 Vgs=10V 時)
  總柵極電荷:38nC
  輸入電容:2790pF
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃

特性

SI4880DY-T1-GE3 具有非常低的導通電阻,這使得它在大電流應用中能夠顯著降低功耗。此外,由于采用了先進的 TrenchFET 技術,該器件還具備快速開關能力,有助于減少開關損耗。
  此款 MOSFET 的高電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍使其非常適合嚴苛環(huán)境下的應用。同時,HotPlate 封裝通過優(yōu)化熱傳導路徑,提高了器件的散熱效率,從而進一步增強了可靠性。
  Vishay 在制造過程中注重產(chǎn)品的質量和一致性,因此 SI4880DY-T1-GE3 在批量生產(chǎn)中也能保持高性能表現(xiàn)。

應用

該 MOSFET 廣泛應用于各種需要高效功率轉換的場景,例如服務器和通信電源中的同步整流、負載點轉換器(POL)、DC/DC 轉換器等。此外,它也適用于消費電子領域,比如筆記本電腦適配器和 USB-PD 控制器。
  在工業(yè)自動化領域,SI4880DY-T1-GE3 可用作電機驅動電路的核心元件,支持高速切換和精確控制。另外,汽車電子系統(tǒng)如電池管理系統(tǒng)和電動助力轉向系統(tǒng)也可采用此型號以實現(xiàn)更高的能源利用率。

替代型號

SI4870DY, IRF7778PbF

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si4880dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫歐 @ 13A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)