SI4890DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),旨在實�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率性能。它適合用于開關(guān)電源、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�
SI4890DY-T1-GE3 的封裝形式為 SOT-23-3L,具有小尺寸和高散熱效率的特�,使其非常適合空間受限的�(shè)計�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�4.2A
最大柵源電壓:±8V
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.7mΩ
柵極電荷�3.2nC
反向恢復(fù)時間:不適用(無�(nèi)置二極管�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:SOT-23-3L
SI4890DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種功率電子電路中,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電池管理與保�
4. 電機�(qū)動控�
5. 負載開關(guān)
6. 工業(yè)自動化與控制
7. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模�
由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�,這款 MOSFET 特別適合需要高頻開�(guān)和低損耗的�(yīng)用場景�
SI4884DY, SI4891DY, IRF7843TRPBF