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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 8:53:47 查看 閱讀�24

SI4890DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用� TrenchFET Gen III 技�(shù),旨在實�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率性能。它適合用于開關(guān)電源、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�
  SI4890DY-T1-GE3 的封裝形式為 SOT-23-3L,具有小尺寸和高散熱效率的特�,使其非常適合空間受限的�(shè)計�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�4.2A
  最大柵源電壓:±8V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.7mΩ
  柵極電荷�3.2nC
  反向恢復(fù)時間:不適用(無�(nèi)置二極管�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:SOT-23-3L

�(yīng)�

SI4890DY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各種功率電子電路中,包括但不限于�
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池管理與保�
  4. 電機�(qū)動控�
  5. 負載開關(guān)
  6. 工業(yè)自動化與控制
  7. 消費類電子產(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換模�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率特�,這款 MOSFET 特別適合需要高頻開�(guān)和低損耗的�(yīng)用場景�

替代型號

SI4884DY, SI4891DY, IRF7843TRPBF

si4890dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4890dy-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)