時間：2025/5/10 18:06:45
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SI4892DY-T1-GE3是Vishay公司推出的一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用TrenchFET? Gen III技術(shù)，具有極低的導通電阻和出色的開關(guān)性能。它主要適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動、電源管理以及便攜式電子設備等應用領(lǐng)域。
該芯片采用了TO-263-3 (DPAK)封裝形式，具備良好的散熱性能和可靠性，非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：30A
導通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V時）
總功耗：34W
結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
SI4892DY-T1-GE3的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導損耗并提高效率。
2. 出色的開關(guān)性能，適合高頻應用。
3. 采用先進的TrenchFET? Gen III技術(shù)，提供更高的電流密度和更低的熱阻。
4. 具有較高的雪崩擊穿能量，增強了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且無鉛。
6. 良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性，適應惡劣的工作環(huán)境。
7. 封裝緊湊，便于安裝和散熱設計。
該芯片廣泛應用于以下領(lǐng)域：
1. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源(SMPS)
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 電機驅(qū)動與控制
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制
7. 通信電源及消費類電子產(chǎn)品中的電源管理
SI4887DY, SI4896DY, IRF3710
