SI4892DY-T1-GE3是Vishay公司推出的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TrenchFET? Gen III技術(shù),具有極低的導通電阻和出色的開關(guān)性能。它主要適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動、電源管理以及便攜式電子設備等應用領(lǐng)域。
該芯片采用了TO-263-3 (DPAK)封裝形式,具備良好的散熱性能和可靠性,非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流:30A
導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:34W
結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
SI4892DY-T1-GE3的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提高效率。
2. 出色的開關(guān)性能,適合高頻應用。
3. 采用先進的TrenchFET? Gen III技術(shù),提供更高的電流密度和更低的熱阻。
4. 具有較高的雪崩擊穿能量,增強了器件的耐用性和可靠性。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛。
6. 良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性,適應惡劣的工作環(huán)境。
7. 封裝緊湊,便于安裝和散熱設計。
該芯片廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源(SMPS)
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
4. 電機驅(qū)動與控制
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制
7. 通信電源及消費類電子產(chǎn)品中的電源管理
SI4887DY, SI4896DY, IRF3710