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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:52:50 查看 閱讀�24

SI4894BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),非常適合用于需要高效能和快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� TSOP-6,具有出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),適用于空間受限的應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�5.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
  柵極電荷�17nC
  輸入電容�1470pF
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI4894BDY-T1-GE3 具有非常低的�(dǎo)通電� (Rds(on)),可以顯著降低功率損�,提高整體系�(tǒng)效率。此外,其快速開�(guān)能力和低柵極電荷使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  該器件還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能。由于采用了先�(jìn)� TrenchFET 技�(shù),其單位面積�(nèi)的電流承載能力更�,從而實(shí)�(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的功率密度�
  � TSOP-6 封裝�(shè)�(jì)�(jiǎn)化了 PCB 布局,并且提供了良好的散熱路徑,能夠有效降低�(jié)�,延�(zhǎng)使用壽命�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、電池管理系�(tǒng)以及各種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的電源管理模��
  在汽車電子領(lǐng)�,它可以用于啟動(dòng)馬達(dá)控制、燃油噴射系�(tǒng)和車身控制模塊等�(chǎng)�。此�,由于其高可靠性和耐高溫性能,也適合用在太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(chǎn)品中�

替代型號(hào)

SI4897DD, SI4446DY, IRF7843

si4894bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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si4894bdy-t1-ge3�(chǎn)�

si4894bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 12A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1580pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4894BDY-T1-GE3TR