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SI4894BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/12 12:52:50 查看 閱讀：24

SI4894BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，非常適合用于需要高效能和快速開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為 TSOP-6，具有出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì)，適用于空間受限的應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：5.2A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：4mΩ
　　柵極電荷：17nC
　　輸入電容：1470pF
　　總功耗：1.3W
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

SI4894BDY-T1-GE3 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可以顯著降低功率損耗，提高整體系統(tǒng)效率。此外，其快速開關(guān)能力和低柵極電荷使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　該器件還具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。由于采用了先進(jìn)的 TrenchFET 技術(shù)，其單位面積內(nèi)的電流承載能力更高，從而實(shí)現(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的功率密度。
　　其 TSOP-6 封裝設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了 PCB 布局，并且提供了良好的散熱路徑，能夠有效降低結(jié)溫，延長(zhǎng)使用壽命。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池管理系統(tǒng)以及各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中的電源管理模塊。
　　在汽車電子領(lǐng)域，它可以用于啟動(dòng)馬達(dá)控制、燃油噴射系統(tǒng)和車身控制模塊等場(chǎng)合。此外，由于其高可靠性和耐高溫性能，也適合用在太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)產(chǎn)品中。

替代型號(hào)

SI4897DD, SI4446DY, IRF7843

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si4894bdy-t1-ge3產(chǎn)品

si4894bdy-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.9A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 12A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1580pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4894BDY-T1-GE3TR