SI4894BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了 TrenchFET 第三代技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),非常適合用于需要高效能和快速開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。其封裝形式為 TSOP-6,具有出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì),適用于空間受限的應(yīng)用。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:5.2A
導(dǎo)通電阻(典型值):4mΩ
柵極電荷:17nC
輸入電容:1470pF
總功耗:1.3W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
SI4894BDY-T1-GE3 具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可以顯著降低功率損耗,提高整體系統(tǒng)效率。此外,其快速開關(guān)能力和低柵極電荷使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該器件還具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。由于采用了先進(jìn)的 TrenchFET 技術(shù),其單位面積內(nèi)的電流承載能力更高,從而實(shí)現(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的功率密度。
其 TSOP-6 封裝設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了 PCB 布局,并且提供了良好的散熱路徑,能夠有效降低結(jié)溫,延長(zhǎng)使用壽命。
這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池管理系統(tǒng)以及各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中的電源管理模塊。
在汽車電子領(lǐng)域,它可以用于啟動(dòng)馬達(dá)控制、燃油噴射系統(tǒng)和車身控制模塊等場(chǎng)合。此外,由于其高可靠性和耐高溫性能,也適合用在太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)產(chǎn)品中。
SI4897DD, SI4446DY, IRF7843