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SI4909DY 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 16:59:13 查看 閱讀:11

SI4909DY是由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用了TrenchFET? Gen III技術(shù),具有非常低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能,適用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其小型化的封裝設(shè)計(jì)有助于節(jié)省電路板空間,并支持更高的功率密度。該器件廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及便攜式電子設(shè)備中的電源管理領(lǐng)域。
  SI4909DY的最大漏源電壓為20V,連續(xù)漏極電流高達(dá)17A(在25°C條件下)。它采用熱增強(qiáng)型DSO-8封裝,能夠有效提高散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流:17A(@25°C)
  導(dǎo)通電阻:3.2mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:11nC(典型值)
  輸入電容:1650pF(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55°C至+175°C
  封裝形式:DSO-8

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. TrenchFET? Gen III技術(shù)提供出色的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性。
  3. 小型化DSO-8封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間。
  4. 支持高電流處理能力,適合多種功率應(yīng)用。
  5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用需求。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
  3. 負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器應(yīng)用。
  5. 便攜式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的功率開關(guān)組件。

替代型號(hào)

SI4912DY, SI4907DY

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