SI4909DY 時(shí)間：2025/6/4 16:59:13 閱讀：11

SI4909DY是由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用了TrenchFET? Gen III技術(shù)，具有非常低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其小型化的封裝設(shè)計(jì)有助于節(jié)省電路板空間，并支持更高的功率密度。該器件廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及便攜式電子設(shè)備中的電源管理領(lǐng)域。
　　SI4909DY的最大漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流高達(dá)17A（在25°C條件下）。它采用熱增強(qiáng)型DSO-8封裝，能夠有效提高散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓：20V
　　連續(xù)漏極電流：17A（@25°C）
　　導(dǎo)通電阻：3.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　柵極電荷：11nC（典型值）
　　輸入電容：1650pF（典型值）
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C至+175°C
　　封裝形式：DSO-8

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. TrenchFET? Gen III技術(shù)提供出色的開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性。
　　3. 小型化DSO-8封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間。
　　4. 支持高電流處理能力，適合多種功率應(yīng)用。
　　5. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用需求。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
　　3. 負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)電路。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變器應(yīng)用。
　　5. 便攜式設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的功率開關(guān)組件。