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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI4913DY

SI4913DY 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 14:22:44 查看 閱讀�39

SI4913DY是Vishay Siliconix公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適用于各種高效率電源管理應(yīng)�。它常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�8.5A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�8mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�17W
  封裝類型:TO-263 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SI4913DY具有極低的導(dǎo)通電阻,從而降低了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率。其快速開�(guān)性能使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�。此外,該器件還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和魯棒�,能夠承受瞬�(tài)電壓和電流沖擊。內(nèi)置的ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了芯片的可靠�。同�(shí),由于采用了�(wú)鉛封�,符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
  該器件的低電荷量�(shè)�(jì)有助于減少開�(guān)損�,�(jìn)一步提升整體性能。其耐熱增強(qiáng)型封裝可改善散熱性能,從而支持更高的電流密度和更小的PCB面積需��

�(yīng)�

SI4913DY廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)�。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于筆記本電腦適配�、平板電視電�、LED照明�(qū)�(dòng)電路、USB充電端口保護(hù)、電池管理系�(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)以及小型電機(jī)控制器等。此�,在多相電源管理方案�,該MOSFET也表�(xiàn)出了卓越的同步整流能��

替代型號(hào)

IRLR7843, AO3400A

si4913dy推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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