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SI4914BDY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/7 9:55:03 查看 閱讀:31

SI4914BDY-T1-E3 是一款來自 Vishay 的高效率、高頻同步降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 IC。該芯片內(nèi)置了高性能的功率 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 2.5A 的連續(xù)輸出電流。其工作電壓范圍為 2.7V 至 5.5V,非常適合便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)。
  該器件采用了先進(jìn)的 PWM 控制架構(gòu),并具備超快的瞬態(tài)響應(yīng)能力,能夠在負(fù)載變化時(shí)快速穩(wěn)定輸出電壓。同時(shí),它還支持低功耗模式,在輕載條件下自動(dòng)進(jìn)入省電模式以提高效率。

參數(shù)

輸入電壓范圍:2.7V-5.5V
  輸出電流:2.5A
  開關(guān)頻率:2.2MHz
  效率(典型值):90%
  待機(jī)功耗:1uA(典型值)
  封裝形式:QFN-16(3mm x 3mm)
  工作溫度范圍:-40℃至+125℃
  輸出電壓范圍:0.8V 至 VIN

特性

SI4914BDY-T1-E3 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 高效同步整流設(shè)計(jì),減少外部元件數(shù)量并優(yōu)化 PCB 布局。
  2. 內(nèi)置補(bǔ)償功能,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程。
  3. 支持脈沖跳躍模式(PSM),在輕載時(shí)有效降低靜態(tài)電流。
  4. 提供全面的保護(hù)功能,包括過流保護(hù)、短路保護(hù)、熱關(guān)斷保護(hù)等。
  5. 快速啟動(dòng)時(shí)間,通常小于 200us。
  6. 可調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)功能,避免浪涌電流對(duì)系統(tǒng)的沖擊。
  7. 小型 QFN 封裝適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

SI4914BDY-T1-E3 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如智能手機(jī)、平板電腦、智能手表等。
  2. 工業(yè)控制設(shè)備,如數(shù)據(jù)采集模塊、傳感器接口電路。
  3. 通信設(shè)備中的電源管理單元。
  4. 醫(yī)療電子儀器,比如便攜式健康監(jiān)測(cè)裝置。
  5. 物聯(lián)網(wǎng)終端節(jié)點(diǎn)及無(wú)線模塊供電解決方案。

替代型號(hào)

SI4913BDY, SI4915BDY

si4914bdy-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si4914bdy-t1-e3產(chǎn)品

si4914bdy-t1-e3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列LITTLE FOOT®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.4A,8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫歐 @ 8A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大2.7W,3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)