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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 11:03:04 查看 閱讀�26

SI4920DY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用微型 DPAK (TO-263) 封裝,適合用于高頻開�(guān)和功率管理應(yīng)用�
  這種 MOSFET 的主要特點是低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率性能,使其成為電源轉(zhuǎn)�、負載開�(guān)、電機控制和其他功率管理電路的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�32A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�4.5mΩ
  柵極電荷�40nC
  總電容:1180pF
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

SI4920DY-T1-GE3 的關(guān)鍵特性包括低 Rds(on),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其微型 DPAK 封裝允許更好的散熱性能,并且能夠支持高電流密度�
  此外,該器件具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,從而減少了開關(guān)損��
  它還具有�(yōu)異的雪崩能力和熱�(wěn)定性,這使得該 MOSFET 在各種惡劣條件下都能保持�(wěn)定運��
  由于其低寄生電感和優(yōu)化的封裝�(shè)�,SI4920DY-T1-GE3 非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動器、電池保護電路、通信電源以及汽車電子等領(lǐng)��
  在消費類電子�(chǎn)品中,例如筆記本電腦適配�、LED 照明和智能手機充電器中也常見到該型號的應(yīng)��
  另外,其高可靠性也使其適用于工�(yè)控制�(shè)備和太陽能逆變器等需要長期穩(wěn)定工作的場景�

替代型號

IRFZ44N
  STP32NF06
  FDP5820
  AO3400

si4920dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

si4920dy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C-
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 6.9A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)