SI4920DY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET。該器件采用微型 DPAK (TO-263) 封裝,適合用于高頻開�(guān)和功率管理應(yīng)用�
這種 MOSFET 的主要特點是低導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率性能,使其成為電源轉(zhuǎn)�、負載開�(guān)、電機控制和其他功率管理電路的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�32A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷�40nC
總電容:1180pF
工作溫度范圍�-55� � 150�
SI4920DY-T1-GE3 的關(guān)鍵特性包括低 Rds(on),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其微型 DPAK 封裝允許更好的散熱性能,并且能夠支持高電流密度�
此外,該器件具有快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷,從而減少了開關(guān)損��
它還具有�(yōu)異的雪崩能力和熱�(wěn)定性,這使得該 MOSFET 在各種惡劣條件下都能保持�(wěn)定運��
由于其低寄生電感和優(yōu)化的封裝�(shè)�,SI4920DY-T1-GE3 非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用�
該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)動器、電池保護電路、通信電源以及汽車電子等領(lǐng)��
在消費類電子�(chǎn)品中,例如筆記本電腦適配�、LED 照明和智能手機充電器中也常見到該型號的應(yīng)��
另外,其高可靠性也使其適用于工�(yè)控制�(shè)備和太陽能逆變器等需要長期穩(wěn)定工作的場景�
IRFZ44N
STP32NF06
FDP5820
AO3400