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SI4922DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 21:17:20 查看 閱讀：13

SI4922DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其封裝形式為 ThinSOT-23（SC-89），非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
　　由于采用了先進(jìn)的制造工藝，SI4171D 在小型化的同時(shí)依然保持了出色的電氣性能和熱性能，使其成為便攜式設(shè)備的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：2.9A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：55mΩ
　　柵極電荷（典型值）：2.5nC
　　輸入電容（典型值）：120pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝類(lèi)型：ThinSOT-23

特性

SI4922DY-T1-GE3 的主要特性包括：
　　1. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
　　2. 高開(kāi)關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　3. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間。
　　4. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛材料。
　　6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提升抗靜電能力。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 手機(jī)充電器及適配器中的同步整流電路。
　　2. 便攜式電子設(shè)備（如平板電腦、藍(lán)牙音箱等）的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　4. 低功耗電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　5. 電池管理系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)元件。
　　6. 各類(lèi)消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。

替代型號(hào)

SI4406DY, SI4407DY, SI4408DY

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