SI4922DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其封裝形式為 ThinSOT-23(SC-89),非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
由于采用了先進(jìn)的制造工藝,SI4171D 在小型化的同時(shí)依然保持了出色的電氣性能和熱性能,使其成為便攜式設(shè)備的理想選擇。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:2.9A
導(dǎo)通電阻(典型值):55mΩ
柵極電荷(典型值):2.5nC
輸入電容(典型值):120pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝類(lèi)型:ThinSOT-23
SI4922DY-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 高開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省 PCB 空間。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料。
6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,提升抗靜電能力。
該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 手機(jī)充電器及適配器中的同步整流電路。
2. 便攜式電子設(shè)備(如平板電腦、藍(lán)牙音箱等)的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
4. 低功耗電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
5. 電池管理系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)元件。
6. 各類(lèi)消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
SI4406DY, SI4407DY, SI4408DY