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SI4936BDY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 10:16:49 查看 閱讀�19

SI4936BDY-T1-GE3 是一款由 Skyworks Solutions 公司推出的高效能、低功耗的 RF(射頻)功率開關(guān)芯片,主要用于移�(dòng)通信�(shè)備中的射頻信號路徑控制。該器件基于先�(jìn)的硅鍺(SiGe)工藝制�,能夠提供卓越的插入損耗性能和出色的線性度,適用于 LTE � WCDMA 等現(xiàn)代無線通信�(biāo)�(zhǔn)�
  SI4936BDY-T1-GE3 �(nèi)部集成了多�(gè) SPDT 開關(guān)功能,支持多頻段操作,并具有高隔離度和低諧波失真的特�(diǎn)。此�,其緊湊的封裝設(shè)�(jì)使其非常適合于空間受限的�(yīng)用場��

參數(shù)

工作頻率范圍�30 MHz � 3 GHz
  插入損耗:0.4 dB(典型值)
  隔離度:28 dB(最小值)
  VSWR�1.2:1(最大值)
  電源電壓�2.7 V � 5.5 V
  靜態(tài)電流�1 μA(最大值)
  封裝形式:TQFN-16 (3x3 mm)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

SI4936BDY-T1-GE3 提供了極低的插入損耗和高隔離度,這使得它在復(fù)雜的射頻信號路徑中表�(xiàn)出色。它� SiGe 工藝保證了高效的射頻切換能力,同�(shí)將功耗降至最��
  該芯片還具備�(yōu)異的線性度和抗干擾能力,確保在 LTE � WCDMA 等高頻段�(yīng)用中維持高質(zhì)量的通信信號傳輸�
  由于采用了小� TQFN 封裝,它不僅節(jié)省了電路板空�,還簡化� PCB �(shè)�(jì)過程。此�,芯片的工作電壓范圍寬廣,�(jìn)一步增�(qiáng)了其靈活性和兼容性�
  最�,這款�(chǎn)品通過�(yōu)化的�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了超低的靜態(tài)電流消耗,在電池供電設(shè)備中可以顯著延長�(xù)航時(shí)��

�(yīng)�

SI4936BDY-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于各類便攜式電子設(shè)備中,包括但不限于智能手�(jī)、平板電�、物�(lián)�(wǎng)模塊和無線通信基站��
  在這些�(yīng)用中,它可以用于控制射頻信號的發(fā)送與接收路徑,或者實(shí)�(xiàn)不同頻段之間的切��
  此外,由于其�(yōu)秀的線性度和低失真特性,該芯片也非常適合用作高性能射頻前端模塊(FEM)的一部分,為系統(tǒng)提供更穩(wěn)定的信號處理能力�

替代型號

SI4936ADY-T1-GE3, SI4936BDY-T1-GM3

si4936bdy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si4936bdy-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 5.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds530pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)